| 主权项 |
1.一种抗反射薄膜,其包括: 一基材,具有第一表面和第二表面; 一无机层,沉积于该基材之第一表面上; 一旋光性聚合物层,其藉由使可因化组合物进行原 位固化而形成于该无机层上,该聚合物层具有在400 nm至700 nm波长范围内不大于约1.53之折射率及介于 约20 nm至约200 nm之厚度;及 一黏合层,其沉积于该基材之第二表面上,其中该 黏合层系经微观结构处理。 2.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该无机 层包括金属氧化物、氮化物、镍、铬、二氧化矽 或其任一组合。 3.如申请专利范围第2项之抗反射薄膜,其中该金属 氧化物为氧化铟、二氧化钛、氧化镍、氧化铬、 氧化镉、氧化镓铟、五氧化二铌、氧化铟锡、二 氧化锡、或其任一组合。 4.如申请专利范围第3项之抗反射薄膜,其中该金属 氧化物层具有一介于约10 nm至约30 nm之厚度,该聚 合物层具有一介于约80n m至约150 nm之厚度。 5.如申请专利范围第4项之抗反射薄膜,其中该金属 氧化物层具有介于约17 nm至约23 nm之厚度,该聚合 物层具有介于约110 nm至约130 nm之厚度。 6.如申请专利范围第2项之抗反射薄膜,其中该氮化 物为氮化矽、氮化钛或其任一组合。 7.如申请专利范围第2项之抗反射薄膜,其中该无机 层包括第一金属氧化物层、二氧化矽层和第二金 属氧化物层,其中该二氧化矽层设置于该第一金属 氧化物层与该第二金属氧化物层之间,且其中该第 一金属层氧化物层沉积于该基材之第一表面上。 8.如申请专利范围第7项之抗反射薄膜,其中该第一 金属氧化物层具有介于至约20 nm至约35 nm之厚度, 该二二氧化矽层具有介于约10 nm至约25 nm之厚度, 该第二金属氧化物具有介于约50 nm至约100 nm之厚 度,该聚合物层具有介于约70 nm至约120 nm之厚度。 9.如申请专利范围第8项之抗反射薄膜,该第一金属 氧化层具有介于约25 nm至约30 nm之厚度,该二二氧 化矽层具有介于约15 nm至约20 nm之厚度,该第二金 属氧化物层具有介于约65 nm至约80 nm之厚度,该聚 合物层具有介于约85 nm至约100 nm之厚度。 10.如申请专利范围第2项之抗反射薄膜,其中该无 机层包括金属氧化物层和二氧化矽层,其中该金属 氧化物层沉积于该基材之第一表面上,该二氧化矽 层沉积于该金属氧化物层上。 11.如申请专利范围第10项之抗反射薄膜,该金属氧 化物层具有介于约10 nm至约30 nm之厚度,该二氧化 矽层具有介于约10 nm至约120 nm之厚度,该聚合物层 具有介于约50 nm至约130 nm之厚度。 12.如申请专利范围第11项之抗反射薄膜,该金属氧 化物层具有介于约10 nm至约20 nm之厚度,该二二氧 化矽层具有介于约10 nm至约50 nm之厚度,该聚合物 层具有介于约60 nm到约100 nm之厚度。 13.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该聚 合物层具有在400 nm~700 nm波长范围内不大于约1.50 之折射率。 14.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该聚 合物层包含自氟烯烃、含有聚矽氧之丙烯酸、甲 基丙烯酸、多官能团丙烯酸单体或其任一组合衍 生之重现单元。 15.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该聚 合物层包含自氟烯烃衍生之重现单元和自含有聚 矽氧的丙烯酸衍生之重现单元,且其中该聚合物层 具有富含有含聚矽氧的丙烯酸之外层部分和富含 氟烯烃之内层部分。 16.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该聚 合物层包含自氟烯烃衍生之重现单元和自甲基丙 烯酸衍生之重现单元,且其中该聚合物层具有一富 含甲基丙烯酸之外层部分和一富含氟烯烃之内层 部分。 17.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该聚 合物层尚包含抗静电剂。 18.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其尚包含 沉积在该聚合物层上之抗静电涂层。 19.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其尚包含 沉积在该基材之第一表面与该无机层间的硬涂层 。 20.如申请专利范围第19项之抗反射薄膜,其中该硬 涂层具有微观结构。 21.如申请专利范围第19项之抗反射薄膜,其中该硬 涂层具有介于约1 m至约15 m之厚度。 22.如申请专利范围第19项之抗反射薄膜,其中该硬 涂层包含分散在经自由基固化之黏结剂中的胶态 无机氧化物粒子。 23.如申请专利范围第22项之抗反射薄膜,其中该胶 态无机氧化物粒子包括胶态二氧化矽粒子。 24.如申请专利范围第22项之抗反射薄膜,其中该黏 结剂系自一种或多种可共聚和可自由基固化之单 体、寡聚物、聚合物或其任一组合衍生。 25.如申请专利范围第22项之抗反射薄膜,其中该黏 结剂系包含导电性聚合物。 26.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该基 材为热固性聚合物、热塑性聚合物或其组合。 27.如申请专利范围第26项之抗反射薄膜,其中该基 材为聚对苯二甲酸乙二醇酯。 28.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该基 材为一百叶帘型塑胶膜。 29.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其尚包含 沉积在该基材之第二表面与该黏合层间之百叶帘 型塑胶层。 30.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该基 材为圆形偏光板,其包括一线性偏光板和一1/4波长 延迟器,其中该无机层沉积在该线性偏光板上,而 该黏合层沉积在该1/4波长延迟器上。 31.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其尚包含 设置在该基材之第二表面与该黏合层间之圆形偏 光板,其中该圆形偏光板由一线性偏光板和一1/4波 长延迟器组成,且其中该线性偏光板毗邻该基材之 第二表面,该1/4波长延迟器毗邻该黏着层。 32.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其尚包含 沉积在该黏合层上之保护衬材。 33.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该黏 合剂层系具有微观结构。 34.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该黏 合剂层包含非压敏性黏合剂。 35.如申请专利范围第34项之抗反射薄膜,其中该非 压敏性黏合剂系热塑性嵌段共聚物弹性体。 36.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其尚包含 沉积在该基材之第一表面的硬涂层,其中该硬涂层 具有一粗糙上表面,且该无机层及旋光性聚合物层 复制于该硬涂层之粗糙上表面,使得该抗反射薄膜 具有一无光泽表面。 37.如申请专利范围第1项之抗反射薄膜,其中该聚 合物层包含聚矽氧丙烯酸酯单体。 38.一种抗反射薄膜,其包括: 一基材,其具有第一表面和第二表面; 一无机层,其沉积于该基材之第一表面上; 一旋光性聚合物层,其藉由固化形成于该无机层上 ;和 一黏合层,其沉积于该基材之第二表面上。 39.一种光学系统,其包括: 一显示装置;和 一沉积于该显示装置上之抗反射薄膜,其中该抗反 射薄膜包括具有第一表面和第二表面之基材、沉 积于该基材之第一表面上之无机层、藉由原位固 化一可因化组合物而形成于该无机层上之旋光性 聚合物层及一沉积于该基材之第二表面上之黏合 层,该聚合物层具有在400 nm~700 nm波长范围内不大 于约1.53之折射率及介于约20 nm至约200 nm之厚度。 40.如申请专利范围第39项之光学系统,其中该显示 装置为一个人数位助理、蜂窝电话、触敏显示屏 幕、手表、汽车导航系统、全球定位系统、深度 探测器、计算器、掌上型电子游戏机、电子图书 、CD、DVD、投影电视机显示屏幕、电脑监视器、 笔记本电脑显示器、仪器仪表、台式个人电脑或 LCD电视。 41.如申请专利范围第39项之光学系统,其中该抗反 射薄膜位于该显示装置之显示屏幕上。 42.如申请专利范围第39项之光学系统,其中该显示 装置上设置有多层抗反射薄膜。 43.如申请专利范围第42项之光学系统,其中该多层 抗反射薄膜位于该显示装置之显示屏幕上、盖板 上或背板上。 44.如申请专利范围第39项之光学系统,其中该基材 系由一线性偏光板和一1/4波长延迟器组成之圆形 偏光板,其中该无机层沉积在该线性偏光板上,该 黏合层沉积在该1/4波长延迟器上。 45.如申请专利范围第39项之光学系统,其中该抗反 射薄膜尚包括设置在该基材之第二表面与该黏合 层间之圆形偏光板,其中该圆形偏光板由一线性偏 光板和一1/4波长延迟器组成,且该线性偏光板毗邻 该基材之第二表面,该1/4波长延迟器毗邻该黏合层 。 46.一种光学系统,其包括: 一显示装置,和 一位于该显示装置上之抗反射薄膜,其中该抗反射 薄膜包括具有第一表面和第二表面之基材、沉积 于该基材之第一表面上之无机层、形成于该无机 层上之旋光性聚合物层和沉积于该基材之第二表 面之黏合层。 47.一种抗反射薄膜制作方法,其包括: 提供具有第一表面和第二表面之基材; 沉积一无机层于该基材之第一表面上; 沉积一层可因化组合物于该无机层上; 固化该已沉积可固化组合物,以形成旋光性聚合物 层,该聚合物层具有介于约20 nm至约200 nm间之厚度 及在400 nm~700 nm波长范围内不大于约1.53之折光率; 及 将一黏合层沉积在该基材之第二表面上。 48.如申请专利范围第47项之方法,其中该无机层系 由金属氧化物、氮化物、镍、铬、二氧化矽或其 任一组合形成。 49.如申请专利范围第48项之方法,其中该金属氧化 物系氧化铟、二氧化钛、氧化镍、氧化铬、氧化 镉,氧化镓铟、五氧化二铌、氧化铟锡、二氧化锡 或其任一组合。 50.如申请专利范围第48项之方法,其中该金属氧化 物层具有介于约10至约30 nm间之厚度,该聚合物层 具有介于约80 nm至约150 nm间之厚度。 51.如申请专利范围第50项之方法,其中该金属氧化 物层具有介于约17 nm至约23 nm间之厚度,该聚合物 层具有介于约110 nm至约130 nm间之厚度。 52.如申请专利范围第48项之方法,其中该氮化物为 氮化矽、氮化钛或其组合。 53.如申请专利范围第48项之方法,其中该无机层包 括第一金属氧化物层、二氧化矽层和第二金属氧 化物层;该方法尚包括: 将该第一金属氧化物层沉积在该基材之第一表面 上; 将该二氧化矽层沉积在该第一金属氧化物层上;及 将该第二金属化物层沉积在该二氧化矽层上。 54.如申请专利范围第53项之方法,其中该第一金属 氧化物层具有介于约20 nm至约35 nm间之厚度,该二 氧化矽层具有介于约10 nm至约25 nm间之厚度,该第 二金属氧化物层具有介于约50 nm至约100 nm间之厚 度,该聚合物层具有介于70 nm至120 nm间之厚度。 55.如申请专利范围第54项之方法,其中该第一金属 氧化物层具有介于约25 nm至约30 nm间之厚度,该二 氧化矽层具有介于约15 nm至约20 nm间之厚度,该第 二金属氧化物层具有介于约65 nm至约80 nm间之厚度 ,该聚合物层具有介于85 nm至100 nm间之厚度。 56.如申请专利范围第48项之方法,其中该无机层包 括金属氧化物层和二氧化矽层,该方法尚包括: 将该金属氧化物层沉积于该基材之第一表面上;和 将该二氧化矽层沉积于该金属氧化物层上。 57.如申请专利范围第56项之方法,其中该金属氧化 物层具有介于约10 nm至约30 nm间之厚度,该二氧化 矽层具有介于约10 nm至约120 nm间之厚度,该聚合物 层具有介于50 nm至约130 nm间之厚度。 58.如申请专利范围第57项之方法,其中该金属氧化 物层具有介于约10 nm至约20 nm间之厚度,该二氧化 矽层具有介于约10 nm至约50 nm之间之厚度,该聚合 物层具有介于60 nm至约100 nm间之厚度。 59.如申请专利范围第47项之方法,其中该聚合物层 具有在400 nm至700 nm波长范围内不大于约1.50之折射 率。 60.如申请专利范围第47项之方法,其中该可固化组 合物包含氟烯烃聚合物、含有聚矽氧之丙烯酸聚 合物、甲基丙烯酸聚合物、多官能团丙烯酸单体 或其任一组合。 61.如申请专利范围第47项之方法,其中该可固化组 合物包含氟烯烃聚合物和含有聚矽氧的丙烯酸聚 合物,其中该固化导致聚合物层内材料分离,从而 生成一富含有含聚矽氧的丙烯酸之外层部分和一 富含氟烯烃之内层部分。 62.如申请专利范围第47项之方法,其中该可固化组 合物包含氟烯烃聚合物和甲基丙烯酸聚合物,其中 该固化导致聚合物层内材料分离,从而生成一富含 甲基丙烯酸之外层部分和一富含氟烯烃之内层部 分。 63.如申请专利范围第47项之方法,该方法尚包括: 在沉积无机层之前,将硬涂层沉积在该基材之第一 表面上。 64.如申请专利范围第47项之方法,其中该可因化组 合物之固化在空气或氮气中进行。 65.如申请专利范围第47项之方法,其中该可固化组 合物之固化藉由自由基固化方式实施。 66.如申请专利范围第47项之方法,其中该基材为一 百叶帘型塑胶膜。 67.如申请专利范围第47项之方法,其尚包括: 在沉积黏合剂层之前,将一百叶帘型塑胶层沉积在 该基材之第二表面上。 68.如申请专利范围第47项之方法,其中该基材系由 一线性偏光板和一1/4波长延迟器组成之圆形偏光 板;其中该无机层沉积在该线性偏光板上,该黏合 层沉积在该1/4波长延迟器上。 69.如申请专利范围第47项之方法,其尚包括: 在沉积该黏合层之前,将一圆形偏光板黏着在该基 材之第二表面上,其中该圆振振器包括一线性偏光 板和一1/4波长延迟器;其中该线性偏光板毗邻该基 材之该第二表面,该1/4波长延迟器毗邻该黏合层。 70.如申请专利范围第47项之方法,其尚包括 将一保护衬材沉积在黏合层上。 71.一种制作抗反射薄膜之方法,其包括: 提供具有第一表面和第二表面之基材; 沉积一无机层于该基材之第一表面上; 在该无机层上形成一旋光性聚合物层;和 在该基材之第二表面上沉积一黏合层。 72.一种制作光学系统之方法,其包括: 提供一显示器装置;和 至少在该显示装置之一部位设置一抗反射薄膜;其 中该抗反射薄膜包括具有第一表面和第二表面之 基材、一沉积于该基材之第一表面上之无机层、 藉由可固化组合物进行原位固化而形成在该无机 层上之旋光性聚合物层及沉积于该基材之第二表 面上之黏合层,该聚合物层具有在400 nm至700 nm波长 范围内不大于约1.53之折光率及介于约20 nm至约200 nm间之厚度。 73.如申请专利范围第72项之方法,其中该显示装置 为一个人数位助理、蜂窝电话、触敏显示屏幕、 手表、汽车导航系统、全球定位系统、深度探测 器、计算器、掌上型电子游戏机、电子图书、CD 、DVD、投影电视机显示屏幕、电脑监视器、笔记 本电脑显示器、仪器仪表、台式个人电脑或LCD电 视。 74.如申请专利范围第72项之方法,其中该抗反射薄 膜位于该显示装置之一显示屏幕上。 75.如申请专利范围第72项之方法,其中该抗反射薄 膜尚包括一硬涂层,其设置于该基材之第一表面与 该无机层之间。 76.如申请专利范围第72项之方法,其中该基材为一 圆形偏光板,其包括一线性偏光板和一1/4波长延迟 器,其中该无机层沉积于该线性偏光板上,该黏合 层深积在该1/4波长延迟器上。 77.如申请专利范围第72项之方法,其中该抗反射薄 膜尚包括设置在该基材之第二表面与该黏合层间 之圆形偏光板;其中该圆形偏光板包括一线性偏光 板和一1/4波长延迟器,且其中该线性偏光板毗邻该 基材之该第二表面,该1/4波长延迟器毗邻该黏合层 。 78.如申请专利范围第72项之方法,其进一步包括 将多层抗反射薄膜设置于该显示装置上。 79.如申请专利范围第72项之方法,其中该多层抗反 射薄膜位于该显示装置之显示屏幕上、盖板或背 板上。 80.一种制作可移除式抗反射薄膜叠层之方法,其包 括:按照申请专利范围第47项之方法形成多层抗反 射薄膜;及 将多层抗反射薄膜彼此相邻放置,其中一抗反射薄 膜之黏合层毗邻另一抗反射薄膜之聚合物层。 81.如申请专利范围第80项之方法,其尚包括: 将保护衬材沉积在抗反射薄膜之黏合层上。 82.如申请专利范围第80项之方法,其中该多层抗反 射薄膜之每一层尚包括设置在该基材之第一表面 与该无机层间之硬涂层。 83.一种制作一可移除式抗反射薄膜叠层之方法,其 包括: 按照申请专利范围第71项之方法形成多层抗反射 薄膜,及 将该多层抗反射薄膜彼此相邻放置;其中一抗反射 薄膜之黏合层毗邻另一抗反射薄膜之聚合物层。 图式简单说明: 图1为一先前技术萤幕保护器之侧面示意图。 图2为另一先前技术萤幕保护器之透视图。 图3为本发明一实施例之抗反射薄膜侧面示意图。 图4为本发明另一实施例另一抗反射薄膜侧面示意 图。 图5为本发明一实施例之一可移除抗反射薄膜叠层 透视图;及 图6为一PDA透视图,其显示屏幕上覆盖一层本发明 一实施例之抗反射薄膜,且其内侧前盖依据本发明 之另一实施例黏贴有抗反射薄膜叠层。 |
