化学机械研磨用水系分散体及半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，及半导体装置之制造方法；其特征为对具有较小机械强度之绝缘膜的被研磨物，亦能抑制其刮擦伤，可以高效率的研磨铜膜与阻挡层金属膜，不会过度研磨绝缘膜，可获得充分平坦化、精确度高之加工面。使用含有磨砂粒之化学机械研磨用水系分散体，可以解决上述之课题；磨砂粒为含有(A)至少一种选自无机粒子及有机粒子所成之单纯粒子，及(B)复合粒子；以单纯粒子(A)由无机粒子所成，复合粒子(B)由有机粒子及无机粒子结合为一体而得之无机有机复合粒子所成者最为适用；半导体装置之制造方法，系含有研磨使用上述研磨用水系分散体之半导体材料被研磨面的步骤者。

主权项

1.一种化学机械研磨用水系分散体,其特征为含有 磨砂粒之化学机械研磨用水系分散体,该磨砂粒包 含(A)至少一种选自无机粒子及有机粒子所成之单 纯粒子,及(B)复合粒子之两者。 2.如申请专利范围第1项之化学机械研磨用水系分 散体,其中构成磨砂粒之单纯粒子(A)系由无机粒子 所成;复合粒子(B)系由有机粒子与无机粒子结合为 一体而成之无机有机复合粒子所成者。 3.如申请专利范围第1或2项之化学机械研磨用水系 分散体,其中磨砂粒全部之总含有比率为0.11~20重 量%,单纯粒子(A)之含有比率为0.1~ 19.99重量%,复合 粒子(B)之含有比率为0.01~19.9重量%。 4.如申请专利范围第1或2项之化学机械研磨用水系 分散体,其中铜膜及阻挡层金属膜在同一条件下研 磨时,对铜膜之研磨速度(RCu),该阻挡层金属膜之研 磨速度(RBM)之比,所表示特定之研磨速度比(RBM/RCu) 之値为0.5~200。 5.如申请专利范围第1或2项之化学机械研磨用水系 分散体,其中铜膜及阻挡层金属膜在同一条件下研 磨时,对铜膜之研磨速度(RCu),该阻挡层金属膜之研 磨速度(RBM)之比,所表示特定之研磨速度比(RBM/RCu) 之値为10~200。 6.如申请专利范围第1或2项之化学机械研磨用水系 分散体,其中铜膜及阻挡层金属膜在同一条件下研 磨时,对铜膜之研磨速度(RCu),该阻挡层金属膜之研 磨速度(RBM)之比,所表示特定之研磨速度比(RBM/RCu) 之値为0.5~3。 7.一种半导体装置之制造方法,其特征为使用申请 专利范围第1~6项中任一项之化学机械研磨用水系 分散体,对半导体材料之被研磨面,含有研磨步骤 者。 8.一种半导体装置之制造方法,其步骤为对半导体 材料之被研磨面,施行以研磨铜膜为主之第1研磨 处理步骤后,以申请专利范围第5或6项之化学机械 研磨用水系分散体,进行以研磨阻挡层金属膜为主 之第2研磨处理步骤。