| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述晶种层之材质包含与该凸块下金属相同的材质。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述聚醯亚胺层之形成方法包含旋涂法(spin on)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述除去部份该聚醯亚胺层的方法包含回蚀刻法。5.一种凸块形成方法,该方法至少包含以下步骤:提供一晶片,该晶片已完成积体电路制程且该晶片之上具有金属焊垫、护层、凸块下金属(UBM)与焊锡层,其中该护层位于部份该金属焊垫上、该凸块下金属(UBM)位于部份该护层与部份该金属焊垫上、该焊锡层位于该凸块下金属(UBM)上;形成一结构层于该护层与该焊锡层之上,以健全该凸块结构;除去部份该结构层,以暴露出该焊锡层,并在该护层上留有残余之该结构层,其中该残余之该结构层的上表面系介于该焊锡层之上表面与该凸块下金属(UBM)之上表面之间;以及热回流该焊锡层,以形成锡球。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述晶片上更具有晶种层位于该凸块下金属(UBM)正下方、且位于部份该护层与部份该金属焊垫上。7.如申请专利范围第5项之方法,其中上述结构层之材质包含聚醯亚胺(polyimide)。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述除去部份该结构层的方法包含回蚀刻法。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述晶种层之材质包含与该凸块下金属相同的材质。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述聚醯亚胺层之形成方法包含旋涂法(spin on)。11.一种凸块制程中健全凸块高度及结构的方法,该方法至少包含以下步骤:提供一晶片,该晶片已完成积体电路制程且该晶片之上具有金属焊垫、护层、凸块下金属(UBM)与焊锡层,其中该护层位于部份该金属焊垫上、该凸块下金属(UBM)位于部份该护层与部份该金属焊垫土、该焊锡层位于该凸块下金属(UBM)上;形成一结构层于该护层与该焊锡层之上,以健全该凸块结构;除去部份该结构层,以暴露出该焊锡层,并在该护层上留有残余之该结构层,其中该残余之该结构层的上表面系介于该焊锡层之上表面与该凸块下金属(UBM)之上表面之间;以及热回流该焊锡层,以形成锡球。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述晶种层之材质包含与该凸块下金属相同的材质。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述结构层之材质包含聚醯亚胺(polyimide)。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述除去部份该结构层的方法包含回蚀刻法。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述聚醯亚胺层之形成方法包含旋涂法(spin on)。图式简单说明:第一图显示传统形成凸块之横截面示意图,系先于晶片上依序形成金属焊垫、护层、晶种层、乾膜。第二图显示传统形成凸块之横截面示意图,包含除去部份乾膜,以定义出凸块下金属的位置,接着依序形成凸块下金属与焊锡层于凸块下金属的位置上。第三图显示传统形成凸块之横截面示意图,包含除去乾膜光阻,接着以焊锡层为罩幕,除去部份晶种层,以暴露出部份护层。第四图显示传统形成凸块之横截面示意图,包含热回流焊锡层,以形成锡球。第五图显示依据本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,系先于晶片上依序形成金属焊垫、护层、晶种层、乾膜。第六图显示依据本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,包含除去部份乾膜,以定义出凸块下金属的位置,接着依序形成凸块下金属与焊锡层于凸块下金属的位置上。第七图显示依据本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,包含依序除去乾膜光阻、部份晶种层,接着形成一结构层,然后除去部份结构层,以暴露出焊锡层。第八图显示依据本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,包含热回流焊锡层,以形成锡球。 |
