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发明名称 Nutzen unterschiedlicher Gate-Dielektrika bei NMOS- und PMOS-Transistoren eines integrierten komplementären Metalloxidhalbleiter-Schaltkreises
摘要
申请公布号 DE112005001787(T5) 申请公布日期 2007.05.10
申请号 DE200511001787 申请日期 2005.07.15
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 METZ, MATTHEW;DATTA, SUMAN;KAVALIEROS, JACK;DOCZY, MARK;BRASK, JUSTIN;CHAU, ROBERT
分类号 H01L21/8238 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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