| 摘要 |
Es wird ein Halbleiter-Speicherbaustein bereitgestellt, der eine einzige Wortleitung verwendet, um auf beide Speicherzellen einer so genannten Zweifachzelle zuzugreifen. Ein Speicherbaustein umfasst mehrere Wortleitungen und mehrere Bitleitungen in einer Matrix mit mehreren Speicherzellen an bestimmten Schnittpunkten von Wortleitungen und Bitleitungen. Es werden mehrere Leseverstärker bereitgestellt, die jeweils mit mindestens einem ersten Paar von Bitleitungen verbunden werden, um eine Spannungsdifferenz auf den Bitleitungen zu erkennen, die durch die Ladung aus einer Zweifachspeicherzelle verursacht wird, die aus einer ersten und einer zweiten Speicherzelle am Schnittpunkt einer einzigen Wortleitung jeweils mit dem ersten Paar von Bitleitungen besteht. Als Folge kann mit einer einzigen Wortleitung auf jede Zelle einer Zweifachspeicherzelle zugegriffen werden.
|
