| 主权项 |
1.一种半导体结构,包含:一单晶性IV族基材;一非晶性氧化物层,系制成于基材上;及一第一类型单晶性化合物半导体材料,系制成叠覆于非晶性氧化物材料上。2.如申请专利范围第1项之半导体结构,进一步包含一模板层制成于非晶性氧化物材料与第一类型单晶性化合物半导体材料之间。3.如申请专利范围第1项之半导体结构,进一步包含一第二类型单晶性半导体材料缓冲层制成于非晶性氧化物材料与第一类型单晶性化合物半导体材料之间。4.如申请专利范围第3项之半导体结构,进一步包含一模板层制成于非晶性氧化物材料与第二类型单晶性半导体材料缓冲层之间。5.如申请专利范围第3项之半导体结构,其中缓冲层包含一单晶性半导体材料,系选自以下族群:锗,及一选自GaAsxP1-x且x范围为0至1.InyGa1-yP且y范围为0至1材料之超晶格,如InGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaP、AlInP、及AlInP。6.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中非晶性氧化物材料包含一选自以下族群之氧化物,包含硷土族金属钛酸盐、硷土族金属锆酸盐、硷土族金属铪酸盐、硷土族金属钽酸盐、硷土族金属钌酸盐、及硷土族金属铌酸盐。7.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中非晶性氧化物材料包含SrxBa1-xTiO3,且x范围为0至1。8.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中非晶性氧化物材料包含一氧化物,系制成一单晶性氧化物,且随后加热处理以将单晶性氧化物转变成一非晶性氧化物。9.如申请专利范围第8项之半导体结构,其中单晶性IV族基材特征为一第一晶格常数,及第一类型单晶性化合物半导体材料特征为一不同于第一晶格常数之第二晶格常数。10.如申请专利范围第9项之半导体结构,其中单晶性氧化物特征为一不同于第二晶格常数之第三晶格常数。11.如申请专利范围第8项之半导体结构,其中单晶性IV族基材特征为一第一晶体方位,及单晶性氧化物特征为一第二晶体方位,且其中第二晶体方位系相关于第一晶体方位而旋转。12.如申请专利范围第8项之半导体结构,进一步包含一第二非晶性氧化物层,系制成于IV族基材及单晶性氧化物之间。13.如申请专利范围第12项之半导体结构,其中IV族基材包含矽,及第二非晶性氧化物层包含氧化矽。14.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中第一类型单晶性化合物半导体材料包含一选自以下族群之材料,包含:III-V族化合物、混合之III-V族化合物、II-VI化合物、及混合之II-VI族化合物。15.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中第一类型单晶性化合物半导体材料包含一选自以下族群之材料,包含:GaAs、AlGaAs、InP、InGaAs、lnGaP、ZnSe、及ZnSeS。16.如申请专利范围第1项之半导体结构,进一步包含一主动装置,系至少一部分制成于第一类型单晶性化合物半导体材料内。17.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中非晶性氧化物层具有一大约2-10毫微米厚度。18.如申请专利范围第17项之半导体结构,其中非晶性氧化物层具有一大约5-6毫微米厚度。19.如申请专利范围第1项之半导体结构,进一步包含一第一主动半导体装置,系至少一部分制成于单晶性化合物半导体层内。20.如申请专利范围第19项之半导体结构,其中第一主动半导体装置包含一光学装置。21.如申请专利范围第19项之半导体结构,进一步包含一第二主动半导体装置,系至少一部分制成于单晶性半导体基材内。22.如申请专利范围第21项之半导体结构,进一步包含一电气性连接,以耦合第一主动半导体装置及第二主动半导体装置。23.一种半导体结构包含:一单晶性半导体基材;一第一非晶性层,系叠覆于单晶性半导体基材上;一第二非晶性氧化物层,系制成叠覆于第一非晶性层上;及一单晶性化合物半导体层,系制成叠覆于第二非晶性氧化物层上。24.如申请专利范围第23项之半导体结构,其中单晶性半导体基材包含一层含有矽之材料。25.如申请专利范围第24项之半导体结构,其中第一非晶性层包含氧化矽。26.如申请专利范围第23项之半导体结构,进一步包含一模板层制成于第二非晶性氧化物层与单晶性化合物半导体层之间。27.如申请专利范围第26项之半导体结构,进一步包含一缓冲层于模板层与单晶性化合物半导体层之间。28.如申请专利范围第27项之半导体结构,其中第二非晶性氧化物层包含SrxBa1-xTiO3,且x范围为0至1。29.如申请专利范围第19项之半导体结构,其中第一非晶性层及第二非晶性氧化物层具有一大约2-10毫微米之总厚度。30.如申请专利范围第29项之半导体结构,其中第一非晶性层及第二非晶性氧化物层具有一大约5-6毫微米之总厚度。31.如申请专利范围第23项之半导体结构,进一步包含一缓冲层于第二非晶性氧化物层与单晶性化合物半导体层之间。32.如申请专利范围第31项之半导体结构,其中缓冲层包含一层半导体材料。33.如申请专利范围第31项之半导体结构,其中单晶性化合物半导体包含一选自以下族群之材料,包含:GaAs、AlGaAs、InP、InGaAs、InGaP、ZnSe、及ZnSeS。34.如申请专利范围第19项之半导体结构,进一步包含一第一主动半导体装置.系至少一部分制成于单晶性化合物半导体层内。35.如申请专利范围第34项之半导体结构,其中第一主动半导体装置包含一光学装置。36.如申请专利范围第34项之半导体结构,进一步包含一第二主动半导体装置,系至少一部分制成于单晶性半导体基材内。37.如申请专利范围第36项之半导体结构,进一步包含一电气性连接,以耦合第一主动半导体装置及第二主动半导体装置。38.如申请专利范围第23项之半导体结构,其中第二非晶性氧化物层包含一选自以下族群之氧化物,包含:硷土族金属锆酸盐及硷土族金属铪酸盐,及单晶性化合物半导体层包含一选自以下族群之材料,包含:InP、InGaAs、及InGaP。39.如申请专利范围第23项之半导体结构,其中单晶性基材包含一含有矽之材料,第二非晶性氧化物层包含一硷土族金属钛酸盐,及单晶性化合物半导体材料包含一选自以下族群之材料,包含:GaAs、AlGaAs、ZnSe、及ZnSeS。40.如申请专利范围第23项之半导体结构,其中第二非晶性氧化物层包含一非晶性矽酸盐。41.如申请专利范围第40项之半导体结构,其中非晶性氧化物材料包含一氧化物,系制成一单晶性氧化物,且随后加热处理以将单晶性氧化物转变成一非晶性氧化物。42.如申请专利范围第23项之半导体结构,其中非晶性氧化物材料包含一氧化物,系制成一单晶性氧化物,且随后加热处理以将单晶性氧化物转变成一非晶性氧化物。43.一种半导体结构,包含:一第一单晶性半导体基材,包含矽且具有一第一区域及一第二区域;一第一非晶性氧化物层,系叠覆于第一区域上;一第二单晶性半导体层,系叠覆于第一非晶性氧化物层上;一单晶性氧化物层,系叠覆于第二单晶性半导体层上;及一第三半导体层,系叠覆于单晶性氧化物层上,及其中第二单晶性半导体层与第三半导体层之至少一者包含一化合物半导体材料。44.如申请专利范围第43项之半导体结构,其中第一非晶性氧化物层包含一氧化物,系制成一单晶性氧化物,且随后加热处理以将单晶性氧化物转变成一非晶性氧化物。45.如申请专利范围第43项之半导体结构,其中非晶性氧化物层具有一大约2-10毫微米厚度。46.如申请专利范围第45项之半导体结构,其中非晶性氧化物层具有一大约5-6毫微米厚度。47.如申请专利范围第43项之半导体结构,进一步包含一模板层于第一非晶性氧化物层与第二单晶性半导体层之间。48.如申请专利范围第43项之半导体结构,进一步包含一主动半导体组件,至少一部分定位于第二单晶性半导体层内。49.如申请专利范围第48项之半导体结构,进一步包含一第二半导体组件,至少一部分定位于第一单晶性半导体基材之第二区域内。50.如申请专利范围第49项之半导体结构,进一步包含一电气性互连于主动半导体组件与第二半导体组件之间。51.如申请专利范围第48项之半导体结构,其中单晶性氧化物层包含主动半导体胞组件之一闸极介电质。52.如申请专利范围第51项之半导体结构,其中第三半导体层包含一闸极介电质。53.如申请专利范围第51项之半导体结构,其中单晶性氧化物层包含一选自以下族群之氧化物,包含硷土族金属钛酸盐、硷土族金属锆酸盐、硷土族金属铪酸盐、硷土族金属钽酸盐、硷土族金属钌酸盐、及硷土族金属铌酸盐。54.如申请专利范围第48项之半导体结构,其中第二单晶性半导体层包含一III-V化合物,及主动半导体组件包含一无线电频率放大器内之一组件。55.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:提供一单晶性半导体基材;磊晶生长一单晶性氧化物层,系叠覆于单晶性半导体基材上;在磊晶生长步骤期间,制成一第一非晶性氧化物层于单晶性半导体基材与单晶性氧化物层之间;磊晶生长一单晶性化合物半导体层,系叠覆于单晶性氧化物层上;及高温退火单晶体氧化物层,将单晶性氧化物层转变成一第二非晶性氧化物层。56.如申请专利范围第55项之方法,其中高温退火步骤包含快速高温退火步骤。57.如申请专利范围第56项之方法,其中快速高温退火步骤包含以大约700℃与大约1000℃间之一温度进行快速高温退火。58.如申请专利范围第55项之方法,进一步包含制成一第一模板层于单晶性半导体基材上之步骤。59.如申请专利范围第58项之方法,其中提供一单晶性半导体基材之步骤包含提供一含矽之基材且具有一氧化矽层于其一表面上,及制成一第一模板层之步骤包含以下步骤:沉积一选自硷土族金属与硷土族金属氧化物组成族群之材料于氧化矽层上;及加热基材以令材料反应于氧化矽。60.如申请专利范围第59项之方法,其中硷土族金属包含一选自钡、锶、及钡锶混合物组成族群之硷土族金属,及硷土族金属氧化物包含一选自氧化钡、氧化锶、及钡锶氧化物组成族群之硷土族金属氧化物。61.如申请专利范围第51项之方法,其中磊晶生长一单晶性氧化物层之步骤包含以下步骤:加热单晶性半导体基材至大约200℃与大约800℃间之一温度;及导入反应物,包含锶、钛、及氧。62.如申请专利范围第61项之方法,其中导入步骤包含控制锶对钛之比,及控制氧之部分压力。63.如申请专利范围第62项之方法,其中氧化单晶性半导体基材之步骤包含昇高氧之部分压力至磊晶生长单晶性氧化物层所需之一位准以上。64.如申请专利范围第55项之方法,进一步包含制成一第二模板层叠覆于单晶性氧化物层上之步骤。65.如申请专利范围第64项之方法,其中制成一第二模板层之步骤包含以一含有单层材料之层覆盖单晶性氧化物层之步骤,该材料系选自钛、钛与氧、锶、及锶与氧组成族群中。66.如申请专利范围第65项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含:沉积一V族之材料于第二模板层上;及令V族之材料反应于第二模板层之材料。67.如申请专利范围第66项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤进一步包含在反应步骤后,沉积一III族之材料及一V族之材料,以制成一III-V族化合物半导体材料。68.如申请专利范围第67项之方法,其中高温退火步骤包含在磊晶生长一单晶性化合物半导体层后,快速高温退火单晶性氧化物层之步骤。69.如申请专利范围第67项之方法,其中高温退火步骤包含在V族材料呈现过压力时,高温退火单晶性氧化物层之步骤。70.如申请专利范围第67项之方法,其中高温退火步骤包含以一选定温度加热单晶性氧化物层,且不使III-V族化合物半导体材料退化。71.如申请专利范围第65项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含:沉积一III族之材料于第二模板层上;及令III族之材料反应于第二模板层之材料。72.如申请专利范围第71项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤进一步包含在反应步骤后,沉积一III族之材料一V族之材料,以制成一III-V族化合物半导体材料。73.如申请专利范围第72项之方法,其中高温退火步骤包含在磊晶生长一单晶性化合物半导体层后,快速高温退火单晶性氧化物层之步骤。74.如申请专利范围第72项之方法,其中高温退火步骤包含在砷呈现过压力时,高温退火单晶性氧化物层之步骤。75.如申请专利范围第72项之方法,其中高温退火步骤包含以一选定温度加热单晶性氧化物层,且不使III-V族化合物半导体材料退化。76.如申请专利范围第65项之方法,进一步包含制成一缓冲层以叠覆于第二模板层上之步骤。77.如申请专利范围第55项之方法,进一步包含制成一缓冲层以叠覆于单晶性氧化物层上之步骤。78.如申请专利范围第77项之方法,其中制成一缓冲层之步骤包含磊晶沉积一层锗以叠覆于单晶性氧化物层上之步骤。79.如申请专利范围第77项之方法,其中制成一缓冲层之步骤包含沉积一含有III-V族化合物半导体材料之超晶格之步骤。80.如申请专利范围第55项之方法,其中磊晶生长一单晶性氧化物层之步骤包含磊晶生长一选自硷土族金属锆酸盐与硷土族金属铪酸盐组成族群之氧化物。81.如申请专利范围第80项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含磊晶生长一选自InP、AlInAs、AlGaInAsP、及InGaAs组成族群之单晶性化合物半导体材料层。82.如申请专利范围第81项之方法,进一步包含藉由沉积一层具有大约1-10个单层材料M-N或M-O-N之厚度,以制成一第二模板层叠覆于单晶性氧化物层上之步骤,其中M系选自锆、铪、锶、及钡组成之族群中,及N系选自砷、磷、镓、铝、及铟组成之族群中。83.如申请专利范围第55项之方法,其中磊晶生长一单晶性氧化物层之步骤包含磊晶生长一硷土族金属钛酸盐。84.如申请专利范围第83项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含磊晶生长一选自GaAs、AlGaAs、ZnSe、及ZnSSe组成族群之层。85.如申请专利范围第55项之方法,进一步包含制成一主动半导体装置,系至少一部分制成于单晶性化合物半导体层内之步骤。86.如申请专利范围第55项之方法,进一步包含磊晶生长一第二单晶性化合物半导体层于单晶性化合物半导体层上之步骤。87.如申请专利范围第86项之方法,其中第二单晶性化合物半导体层具有一不同于单晶性化合物半导体层者之组成成分。88.如申请专利范围第86项之方法,其中高温退火步骤系在磊晶生长一第二单晶性化合物半导体层后执行。89.如申请专利范围第86项之方法,其中高温退火步骤系在磊晶生长一第二单晶性化合物半导体层前执行。90.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:提供一单晶性氧化物层,且具有一表面;制成一模板层于表面上;磊晶生长一单晶性化合物半导体层,系叠覆于模板上;及高温退火单晶性氧化物层,将单晶性氧化物层转变成一非晶性氧化物层。91.如申请专利范围第90项之方法,其中提供一单晶性氧化物层之步骤包含提供一含有选自硷土族金属钛酸盐、硷土族金属锆酸盐、及硷土族金属铪酸盐组成族群之材料之单晶性氧化物层。92.如申请专利范围第90项之方法,其中提供一单晶性氧化物层之步骤包含磊晶生长一单晶性氧化物层,且系晶格匹配于一下层单晶性矽基材。93.如申请专利范围第92项之方法,其中磊晶生长一单晶性氧化物层之步骤包含生长一具有大约2-10毫微米厚度之单晶性氧化物层。94.如申请专利范围第93项之方法,其中磊晶生长一单晶性氧化物层之步骤包含生长一具有大约5-6毫微米厚度之单晶性氧化物层。95.如申请专利范围第93项之方法,其中高温退火步骤包含快速高温退火步骤。96.如申请专利范围第93项之方法,其中快速高温退火步骤包含以大约700℃与大约1000℃间之一温度进行高温退火。97.如申请专利范围第90项之方法,其中高温退火步骤包含快速高温退火步骤。98.如申请专利范围第90项之方法,其中快速高温退火步骤包含以大约700℃与大约1000℃间之一温度进行退火。99.如申请专利范围第90项之方法,其中高温退火步骤包含雷射退火步骤。100.如申请专利范围第90项之方法,其中提供一单晶性氧化物层之步骤包含提供一含有SrxBa1-xTiO3之氧化物层,且x范围为0至1。101.如申请专利范围第100项之方法,其中制成一模板层之步骤包含以1-10个单层选自钛、钛与氧、锶、及锶与氧之材料,覆盖单晶性氧化物层。102.如申请专利范围第101项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含磊晶沉积一选自GaAs、AlGaAs、GaAsP、及GaInP之层。103.如申请专利范围第102项之方法,其中高温退火步骤包含快速高温退火至大约700℃与大约1000℃间之一温度。104.如申请专利范围第101项之方法,进一步包含沉积一缓冲层以叠覆于模板层之步骤。105.如申请专利范围第104项之方法,其中沉积一缓冲层之步骤包含磊晶沉积一选自GaAsxP1-x且x范围为0至1及InyGa1-yP且y范围为0至1之材料之超晶格层。106.如申请专利范围第105项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含磊晶沉积一选自GaAs、AlGaAs、GaAsP、GaInAs、InP及GaInP之层。107.如申请专利范围第101项之方法,其中制成一模板层之步骤包含以1-10个单层选自锗-锶及锗-钛之材料,覆盖单晶性氧化物层。108.如申请专利范围第107项之方法,进一步包含磊晶沉积一锗缓冲层之步骤。109.如申请专利范围第101项之方法,其中制成一模板层之步骤包含以下步骤:以1-10个单层ZnO覆盖单晶性氧化物层;及沉积1-3个单层富锌ZnO以覆盖单层ZnO。110.如申请专利范围第109项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含磊晶生长一选自ZnSe及ZnSeS之层。111.如申请专利范围第101项之方法,其中制成一模板层之步骤包含以1-2个单层SrS覆盖单晶性氧化物层之步骤。112.如申请专利范围第111项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含磊晶生长一ZnSeS层。113.如申请专利范围第90项之方法,其中提供一单晶性氧化物层之步骤包含提供一含有选自硷土族金属锆酸盐及硷土族金属铪酸盐组成族群之材料之单晶性氧化物层。114.如申请专利范围第113项之方法,其中制成一模板层之步骤包含以大约1-10个单层材料M-N或M-O-N覆盖单晶性氧化物层,其中M系选自锆、铪、锶、及钡组成之族群中,及N系选自砷、磷、镓、铝、及铟组成之族群中。115.如申请专利范围第114项之方法,其中磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤包含磊晶生长一含有选自InP及InGaAs之材料之层。116.如申请专利范围第115项之方法,进一步包含制成一缓冲层,且包含一含有InGaAs且叠覆于模板之超晶格。117.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:提供一单晶性半导体基材;制成一调节缓冲层,系叠覆于单晶性半导体基材上;制成一非晶性中间层于单晶性半导体基材与调节缓冲层之间;及磊晶生长一单晶性化合物半导体层,系叠覆于调节缓冲层上。118.如申请专利范围第117项之方法,其中制成一非晶性中间层之步骤包含将氧扩散通过调节缓冲层以利氧化单晶性半导体基材之步骤。119.如申请专利范围第117项之方法,其中制成一调节缓冲层之步骤包含以下步骤:藉由选自MBE、MOCVD、MEE、及ALE之一方法以生长一磊晶缓冲层;及磊晶生长一单晶性化合物半导体层后,高温退火磊晶缓冲层,以将磊晶层转换成一非晶性层。120.如申请专利范围第117项之方法,其中提供一单晶性半导体基材之步骤包含提供一单晶性矽基材,且其具有一氧化矽层于其一表面上。121.如申请专利范围第120项之方法,其中制成一调节缓冲层之步骤包含以下步骤:将一选自SrmBa1-m且m范围为0至1及SrnBa1-nO且n范围为0至1之材料反应于氧化矽层,以制成一模板于矽基材之表面上;磊晶沉积一含有SrmBa1-xTiO3且x范围为0至1之单晶性层于模板上;及磊晶生长一单晶性化合物半导体层之步骤后,高温退火含有SrxBa1-xTiO3之单晶性层,将该层转变成一非晶性层。122.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:提供一单晶性矽基材,其包含一第一区域及一第二区域,且第二区域具有一氧化表面;制成一CMOS电路于第一区域内;沉积一含有锶之材料至具有一氧化表面之第二区域上,且令材料与氧化表面反应以制成一第一模板层;藉由导入锶、钛、及部分压力之氧至模板层,沉积一含有锶、钛、及氧之单晶性氧化物层以叠覆第一模板层;昇高氧之部分压力以生长一非晶性氧化矽层于第二区域上;藉由沉积一含有含矽单层之第二模板层,以结束沉积一单晶性氧化物层步骤;沉积一层含有镓与砷之单晶性化合物半导体材料,以叠覆第二模板层;高温退火单晶性氧化物层,将单晶性层转变成一非晶性层;制成一半导体组件于单晶性化合物半导体材料层内;及沉积一金属导体,其建构以电气性耦合CMOS电路与半导体组件。123.如申请专利范围第122项之方法,其中高温退火步骤包含以大约700℃与大约1000℃间之一温度进行快速高温退火。124.如申请专利范围第122项之方法,其中高温退火步骤包含在砷呈现过压力时,以大约700℃与大约1000℃间之一温度进行快速高温退火。125.如申请专利范围第122项之方法,其中沉积一单晶性氧化物层之步骤包含沉积一具有2与10毫微米之间厚度之单晶性氧化物层。126.如申请专利范围第125项之方法,其中沉积一单晶性氧化物层之步骤包含沉积一具有5与6毫微米之间厚度之单晶性氧化物层。127.一种通信装置,包括一单片积体电路,其中积体电路包含:一单晶性IV族半导体部;一非晶性金属氧化物层,系叠覆于单晶性IV族半导体部;一单晶性化合物半导体部,系叠覆于非晶性金属氧化物层,其中单晶性化合物半导体部包括一选自放大器、信号调制器、信号解调器、发光装置、光侦测装置及电磁辐射放射器组成族群之元件;及一数位逻辑器部,系制成于单晶性IV族半导体部内且耦合于该元件。128.如申请专利范围第127项之通信装置,其中非晶性金属氧化物层系藉由沉积一单晶性金属氧化物层,及随后进行高温退火,将单晶性金属氧化物转变成非晶性金属氧化物。129.如申请专利范围第128项之通信装置,其中单晶性金属氧化物层具有一相关于单晶性化合物半导体部之结晶方位而大致旋转45之结晶方位。130.如申请专利范围第128项之通信装置,其中单晶性金属氧化物层具有一相关于单晶性IV族部之结晶方位而大致旋转45之结晶方位。131.一种积体电路,包含:一非晶性金属氧化物层;一单晶性化合物半导体层,系叠覆于非晶性金属氧化物层;及主动装置,其中在积体电路内之所有主动装置系至少一部分位于单晶性化合物半导体层内。132.如申请专利范围第131项之积体电路,进一步包含一单晶性基材位于非晶性金属氧化物层下方。133.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:提供一单晶性半导体基材;磊晶生长一单晶性氧化物层,系叠覆于单晶性半导体基材上;磊晶生长一单晶性化合物半导体层,系叠覆于单晶性氧化物层上;及高温退火单晶性氧化物层,将单晶性氧化物层转变成一非晶性氧化物层。134.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:提供一单晶性氧化物层,且具有一表面;磊晶生长一单晶性化合物半导体层,系叠覆于单晶性氧化物层上;及高温退火单晶性氧化物层,将单晶性氧化物层转变成一非晶性氧化物层。135.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:提供一单晶性矽基材,其包含一第一区域及一第二区域;制成一CMOS电路于第一区域内;沉积一单晶性氧化物层,以叠覆第二区域;藉由沉积一模板层于单晶性氧化物层上,以结束沉积一单晶性氧化物层步骤;沉积一层单晶性化合物半导体材料,以叠覆模板层;高温退火单晶性氧化物层,将单晶性层转变成一非晶性层;制成一半导体组件于单晶性化合物半导体材料层内;及沉积一金属导体,其建构以电气性耦合CMOS电路与半导体组件。136.一种制造一半导体结构之方法,包含以下步骤:选定一单晶性半导体基材,其具有一第一晶格常数;选定一材料,而在其正确定位时可具有一第二晶格常数及结晶性结构,使该材料可沉积做为一单晶性薄膜,以叠覆单晶性半导体基材,第二晶格常数不同于第一晶格常数;沉积一单晶性材料膜,以叠覆单晶性半导体基材,单晶性薄膜系因第一晶格常数不同于第二晶格常数而出现应变;制成一非晶性介面层于单晶性薄膜与单晶性半导体基材之间,非晶性介面层具有一厚度,足以释除单晶性薄膜内之应变;选定一化合物半导体材料,其具有一第三晶格常数,系不同于第二晶格常数且在其正确定位时可沉积于单晶性薄膜上,做为一单晶性化合物半导体层;磊晶沉积一单晶性化合物半导体材料层,以叠覆单晶性薄膜,单晶性层特征为具有一第三晶格常数,且因第三晶格常数不同于第二晶格常数而出现应变;及退火单晶性薄膜,将单晶性薄膜转变成一非晶性薄膜,以释除单晶性化合物半导体材料层内之应变。137.如申请专利范围第136项之方法,其中第三晶格常数不同于第一晶格常数。138.如申请专利范围第136项之方法,进一步包含制成一第一模板层以叠覆单晶性基材之步骤,使沉积一单晶性薄膜之步骤结核。139.如申请专利范围第138项之方法,进一步包含制成一第二模板层以叠覆单晶性薄膜之步骤,使磊晶沉积一单晶层之步骤结核。图式简单说明:图1.2.3.9.10系以截面简示本发明多个实施例之装置结构;图4系以图表说明可得薄膜厚度及一主晶体与一生长结晶性覆层间晶格错配之间之关系;图5说明一包括单晶性调节缓冲层之结构之高解析度电输电子显微照片;图6说明一包括单晶性调节缓冲层之结构之X光绕射光谱;图7说明一包括非晶性氧化物层之结构之高解析度电输电子显微照片;图8说明一包括非晶性氧化物层之结构之X光绕射光谱;图11包括一部分通信装置之方块图说明;图12-16包括一部分积体电路之截面图说明,积体电路包括一化合物半导体部、一二极部、及一MOS部;及图17-23包括一部分另一积体电路之截面图说明,积体电路包括一半导体雷射及一MOS电晶体。 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