| 主权项 |
1.一种处理一基底的方法,该方法至少包含:a)沉积一阻障层于该基底之上;b)沉积一黏着层于该阻障层之上;以及c)沉积一金属晶种层于该黏着层之上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该阻障层的金属材料系选自由钛金属、氮化钛、钽金属、氮化钽、钨金属、氮化钨及其组合所组成的族群中。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层的沉积是在一物理气相沉积室中进行标的物的溅镀该物理气象沉积室的压力介于10毫托耳至60毫托耳,电力的供应在l000瓦到5000瓦之间,该基底的温度低于摄氏250度。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该黏着层的方法包括依物理气相沉积法,提供的电力低于10000瓦。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该黏着层时的压力低于1托耳。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中其中形成该黏着层时该基底的温度低于摄氏250度。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该黏着层的金属材料系选自由铜金属、铂金属、金金属、镍金属、钼金属、钨金属及其组合所组成的族群。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层的沉积是在一物理气相沉积室中进行标的物的溅镀该物理气象沉积室的压力介于10毫托耳至60毫托耳,电力的供应在1000瓦到5000瓦之间,该基底的温度低于摄氏250度。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更进一步包括形成一导体金属层于该金属晶种层之上。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中形成该金属晶种层包括一化学气相沉积法或是一电化学沉积法沉积的铜金属,形成该导体金属层包括一电镀技术形成的铜金属。图式简单说明:第1图为适用于在基底介层窗上沉积阻障层、以物理气相沉积技术形成黏着层及以化学气相沉积技术形成金属晶种层集积多反应室装置之顶视图;第2图为适用于沉积黏着层之物理气相沉积"长冲程"反应室之剖面图;第3图为适用于沉积黏着层之物理气相沉积"标准"反应室之剖面图;第4图为根据本发明所提供有一个金属晶种层沉积在一物理气相沉积黏着层之上,黏着层形成于障碍层之上之半导体基底金属化示意图;以及第5图为根据本发明所提供有一阻障层、一物理气相沉积黏着层、一内混合金属晶种层和一填满介层窗之导体金属层之半导体基底金属化示意图。 |
