用于形成具有低损坏之低电阻率的超浅接面之方法

摘要

本发明揭示一种用来形成半导体晶圆中的超浅接面之方法，包含将用以形成电荷载子复合物的掺杂物质引进半导体晶圆之浅表层，其每一复合物则会产生至少两种的电荷载子，以及包含已掺杂表层之短时间热处理，藉以形成其电荷载子复合物。依照已掺杂表层之闪动快速热处理、已掺杂表层之次熔化雷射处理、或者已掺杂表层之RF或微波退火，藉以实现短时间热处理步骤。