一种硅纳米线的制作方法

摘要

本发明涉及一种硅纳米线的制作方法。主要利用氢氟酸或含氢氟酸水溶液对掺杂形成p－n结结构n型硅的选择性腐蚀实现两维尺寸可精确控制的硅纳米线的工艺简单、可靠及批量制作。利用该方法制作硅纳米线，通过改变设计参数及腐蚀时间，可以制作两维尺寸10纳米左右的硅纳米线；通过图形设计，可以制作出多种以硅纳米线为基础的纳机电器件。使用本发明制作的硅纳米线，可以研究低维半导体材料的力学、电学等特性；制作多种纳机电器件，应用前景广阔。本发明工艺简单，制作成本低，并可批量生产。

主权项

1、一种硅纳米线的制作方法，其特征是利用氢氟酸或含氢氟酸水溶液腐蚀掺杂形成p-n结结构n型硅的选择性腐蚀工艺实现硅纳米线制作。