| 发明名称 | 非易失存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的上电极17以及包含相变材料并且连接在下电极12和上电极17之间的记录层18。根据本发明，上电极17与记录层18的初始生长表面18a接触。该结构可以通过在记录层18之前形成上电极17来实现，得到三维结构。这样减小了向位线的热扩散而不增加记录层18的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1960019A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610143921.9 | 申请日期 | 2006.11.02 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 浅野勇;泰勒·A·劳里 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谷惠敏;钟强 |
| 主权项 | 1.一种非易失存储元件，包括：下电极；设置在下电极上的上电极；和包含相变材料、连接在下电极和上电极之间的记录层，其中上电极与记录层的初始生长表面接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||