具有金属硅化物层的半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种具有金属硅化物层的半导体器件的制造方法，包括：形成一结构，该结构包括在半导体衬底上形成的多个栅极堆叠；形成栅极间隔层，其形成在所述半导体衬底上表面上并围绕每个栅极堆叠侧壁；和在所述栅极堆叠之间形成绝缘层。该方法还包括在所述栅极堆叠之间的所述半导体衬底的暴露表面上形成金属硅化物层。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：形成一结构，所述结构包括在半导体衬底上形成的多个栅极堆叠、形成在所述半导体衬底上表面上并围绕每个栅极堆叠的侧壁的栅极间隔层、和在所述栅极堆叠之间的绝缘层；通过移除所述绝缘层暴露所述栅极间隔层；在所述栅极间隔层上形成牺牲绝缘层；移除在所述栅极间隔层上提供的部分所述牺牲绝缘层，同时保留围绕所述每个堆叠的侧壁形成的所述栅极间隔层上的所述牺牲绝缘层的剩余部分；通过移除在所述半导体衬底上提供的所述栅极间隔层而暴露在所述栅极堆叠之间的所述半导体衬底；和在所述栅极堆叠之间的半导体衬底的暴露表面上形成硅化物层。