| 发明名称 | 半导体存储器装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器装置，其包括具有用于锁存数据的多个管道锁存器的管道锁存单元。输入控制器控制从数据线传输至该管道锁存单元的数据的输入时序。输出控制器控制锁存于该管道锁存单元中的数据的输出时序。初始化控制器响应于在写入操作期间启动的读取/写入标志信号，控制该输入控制器及该输出控制器，由此初始化该管道锁存单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1959838A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610100957.9 | 申请日期 | 2006.08.04 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金京男;赵浩烨 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01) | 主分类号 | G11C7/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器装置，其包含：管道锁存单元，其包括用于锁存数据的多个管道锁存器；输入控制器，其用于控制从数据线传输至该管道锁存单元的数据的输入时序；输出控制器，其用于控制锁存于该管道锁存单元中的数据的输出时序；及初始化控制器，其用于控制该输入控制器及该输出控制器，由此初始化该管道锁存单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||