发明名称 |
半导体光源发光色度、强度及白平衡的检测方法 |
摘要 |
本发明提供一种利用掩埋双pn结半导体光波长探测器检测半导体光源发光色度、强度及白平衡的方法。该掩埋双pn结半导体光波长探测器不仅仅用来测量波长,而且同时用来测量发光强度(或光功率)。对于半导体激光器、超辐射发光二极管、边发射二极管、窄谱线宽度面发射发光二极管等光谱宽度远小于国际照明委员会确定的光谱三刺激值函数半宽的半导体光源,其发光波长和强度可以用半导体光波长探测器测量得到,由此进一步依据国际照明委员会确定的表色体系,得到所述半导体光源的色度三刺激值及色品坐标。本发明还能够检测红绿蓝三基色半导体光源混合白光的白平衡(或偏色)。本发明所用器件简单、灵巧和成本低,测量精度较高。 |
申请公布号 |
CN1959355A |
申请公布日期 |
2007.05.09 |
申请号 |
CN200510117287.7 |
申请日期 |
2005.11.03 |
申请人 |
北京师范大学 |
发明人 |
韩德俊 |
分类号 |
G01J9/00(2006.01);G01J1/42(2006.01);G01J3/50(2006.01) |
主分类号 |
G01J9/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种检测半导体光源的色度、强度及白平衡的新方法,其特征是:采用掩埋双p-n结半导体光波长探测器。 |
地址 |
100875北京市海淀区新街口外大街19号 |