| 发明名称 | 制造具有本体异质结的光电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 制造光电子器件的方法，包括以下步骤：将具有突起的第一层沉积在第一电极上，其中第一层包括第一种有机小分子材料；将第二层沉积在第一层上使得第二层与第一层发生物理接触；其中突起的最小横向尺寸是第一种有机小分子材料的激子漫射长度的1－5倍；和将第二电极沉积在第二层上形成光电子器件。也提供了制造具有本体异质结的有机光电子器件的方法并且该方法包括：通过有机汽相沉积法在电极上沉积具有突起的第一层；将第二层沉积在第一层上，其中第一层和第二层的界面形成本体异质结；和将另一个电极沉积在第二层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1961436A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200580017354.6 | 申请日期 | 2005.04.13 |
| 申请人 | 普林斯顿大学理事会 | 发明人 | M·舍提恩;杨帆;S·R·弗莱斯特 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01);H01L51/48(2006.01) | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1.制造光电子器件的方法，包括以下步骤：将具有突起的第一层沉积在第一电极上，其中第一层包括第一种有机小分子材料；将第二层沉积在第一层上使得第二层与第一层发生物理接触；其中突起的最小横向尺寸是第一种有机小分子材料的激子漫射长度的1-5倍；和将第二电极沉积在第二层上形成光电子器件。 | ||
| 地址 | 美国新泽西 | ||