| 发明名称 | 光电阴极 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1959895A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610142778.1 | 申请日期 | 2006.10.31 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 中嶋和利;新垣实;望月智子;广畑彻 |
| 分类号 | H01J1/34(2006.01);H01J40/06(2006.01) | 主分类号 | H01J1/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体光电阴极，其特征在于，具有：透明基板；第一电极，形成在所述透明基板上，并可使透过所述透明基板的光通过；光吸收层，形成在所述第一电极上，响应光的入射，并激发光电子；窗层，隔在所述第一电极和所述光吸收层之间，与所述光吸收层相比能带间隙较宽，由与所述光吸收层晶格匹配的半导体材料构成，并且由厚度为10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；电子发射层，形成在所述光吸收层上，由与所述光吸收层晶格匹配的半导体材料构成，并且从表面向外部发射由所述光吸收层激发的光电子；第二电极，形成在所述电子发射层上。 | ||
| 地址 | 日本静冈 | ||