发明名称 Phase change memory having multilayer thermal insulation
摘要 A memory cell includes a first electrode (124), a second electrode (128), phase-change material (126) contacting the first electrode and the second electrode, multilayer thermal insulation (130a-d) contacting the phase-change material, and dielectric material (132) contacting the multilayer thermal insulation.
申请公布号 EP1783845(A1) 申请公布日期 2007.05.09
申请号 EP20060021710 申请日期 2006.10.17
申请人 QIMONDA AG 发明人 HAPP, THOMAS;PHILIP, JAN BORIS
分类号 H01L45/00 主分类号 H01L45/00
代理机构 代理人
主权项
地址