| 发明名称 | 形成蚀刻掩模的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成一蚀刻掩模的方法。根据本发明，提供一种形成一蚀刻掩模的方法，其包含以下步骤：在一衬底上沉积一含有硅的硬掩模膜；在所述硬掩模膜上沉积一光致抗蚀剂；图案化所述光致抗蚀剂；和使用所述光致抗蚀剂图案作为一掩模且使用一包括CH<SUB>x</SUB>F<SUB>y</SUB> (x，y＝1，2，3)气体的蚀刻气体来蚀刻所述硬掩模膜。此时，在用于193nm或更小波长的光致抗蚀剂图案下蚀刻所述硬掩模膜时，可使用包括CH<SUB>2</SUB>F<SUB>2</SUB>和H<SUB>2</SUB>气体的混合气体来增加所述硬掩模膜对光所述致抗蚀剂图案的一蚀刻选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN1959529A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610138003.7 | 申请日期 | 2006.11.02 |
| 申请人 | 周星工程股份有限公司 | 发明人 | 权奇清;李来应;朴昌基;李春熙;金德镐 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01);G03F7/16(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种形成蚀刻掩模的方法，其包含以下步骤：在衬底上沉积含有硅的硬掩模膜；在所述硬掩模膜上沉积光致抗蚀剂；图案化所述光致抗蚀剂；和使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模且使用包括CHxFy(x，y＝1，2，3)气体的蚀刻气体来蚀刻所述硬掩模膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||