| 发明名称 | 发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管(LED)，包括α－Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或SiC的半透明基底和生长在所述基底的第一侧上的发光半导体材料的第一层，第一电极和第二电极，其中所述基底是多晶体。多晶基底的平均晶粒大小优选与LED使用期间由半导体材料发射的光的波长处于相同数量级。 | ||
| 申请公布号 | CN1961433A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200580018023.4 | 申请日期 | 2005.05.25 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | R·M·沃夫;M·P·B·范布鲁根 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 龚海军;梁永 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管(LED)，包括半透明基底和生长在所述基底的第一侧上的发光半导体材料的第一层，第一电极和第二电极，其特征在于所述基底是多晶体。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||