| 发明名称 | 部分半导体组件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种部分半导体组件的形成方法，在一范例里，一形成部分半导体组件的方法包括，形成一光感层于一基底上，显影光感层以暴露出基底的一部份，并由显影后所剩余的光感层的至少一部份产生一种子层，在种子层上形成一蚀刻中止层，以及使用蚀刻中止层作为一屏蔽蚀刻基底。 | ||
| 申请公布号 | CN1959940A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610099505.3 | 申请日期 | 2006.07.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林进祥 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/308(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种部分半导体组件的形成方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一光感层于一基底上；使用一预先定义的图案图案化该光感层；显影该光感层以形成一种子层，其中该种子层对应于该预先定义的图案；产生实质上垂直于该种子层的一复数个长链分子，以形成一蚀刻中止层于该种子层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||