| 发明名称 | 肖特基势垒晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种肖特基势垒晶体管及其制造方法。该方法包括在衬底上形成栅极绝缘层和栅极，在栅极侧壁上形成隔离壁，在栅极和衬底上使用选择性硅生长分别生长多晶硅层和单晶硅层。金属沉积在多晶硅层和单晶硅层上。然后，金属与多晶硅层和单晶硅层中的硅反应以形成自对准金属硅化物层。因此，在硅化后用来去除未反应的金属的选择性湿法刻蚀可被省略。此外，在单晶硅层的生长过程中，形成隔离壁所引起的刻蚀损伤可被减小，因此改进了器件的电特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1315196C | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200310114793.1 | 申请日期 | 2003.12.31 |
| 申请人 | 韩国电子通信研究院 | 发明人 | 郑又硕;李诚宰;张汶圭 |
| 分类号 | H01L29/812(2006.01);H01L21/338(2006.01) | 主分类号 | H01L29/812(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种肖特基势垒晶体管，包括：形成在衬底上的栅极，具有该栅极和该衬底之间的栅极绝缘层；形成在该栅极的侧壁上使得该栅极的上边缘暴露出来的隔离壁；形成在该衬底上邻近该栅极的抬高的硅化物源极/漏极；以及形成在该隔离壁上方并覆盖该栅极的上表面和该上边缘的多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||