发明名称 | 一种特殊结构的硅片、其用途和制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种特殊结构的硅片,除具有硅基板外,还具有氧化膜和氮化硅两层膜结构,其中OX膜结构置于硅基板和氮化硅之间。该硅片可应用于半导体制造监控工艺中作为挡控片,即用作填充片和制程监控的硅片。本发明还提出了所涉及硅片的制备方法,即在硅基板上首先采用炉管或者化学气相沉积法生长OX膜结构,膜厚控制在50埃到500埃之间;然后在所述OX膜结构上采用炉管或者化学气相沉积法生长氮化硅膜结构,膜厚控制在500埃到3000埃。本发明中硅片不易受到环境的影响而产生很多污染及干扰,可以延长挡控片的使用寿命并保证颗粒测量的精确度,并最终提高半导体制造监控工艺的准确性,降低生产成本。 | ||
申请公布号 | CN1959949A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
申请号 | CN200510110008.4 | 申请日期 | 2005.11.03 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐开勤;陈春晖 |
分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 1、一种特殊结构的硅片,具有硅基板,其特征是,在所述硅基板上具有氧化膜和氮化硅两层膜结构,其中所述氧化膜结构置于硅基板和氮化硅之间。 | ||
地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 |