生长非常均匀的碳化硅外延层

摘要

公开一种改良的化学气相沉积方法，该方法能增强碳化硅外延层的均匀性并且对得到较厚外延层特别有用。该方法包括将反应器加热到碳化硅原料气体在反应器内基体上形成外延层的温度；和让原料气体和载气流过加热的反应器在基体上形成碳化硅外延层，同时载气包括氢气和第二种气体的混和气体，其中第二种气体的热导要低于氢气热导，使得原料气体在通过反应器时它的消耗比使用单一氢气作载气时的更低。

主权项

1.一种碳化硅外延层，其特征在于去掉外延冠测量的数据点后沿其横截面厚度的标准偏差低于3％。