| 发明名称 | 超晶格的制造和使用 | ||
| 摘要 | 本公开涉及用于制造和使用超晶格1600的系统和方法。可通过在脊902上设置交替的材料层1302和1304以及除去一些交替的层来让边缘1504和1506曝光来制造超晶格1600。这些暴露的边缘1504和1506的长度和曲率几乎是任意的。可以用这些边缘1504和1506来制造纳米级宽度的弯曲线1902。 | ||
| 申请公布号 | CN1961259A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200580017198.3 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | P·科尼洛维奇;P·马蒂洛维奇;J·斯塔斯亚克;N·希鲁科瓦鲁 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种用于形成超晶格的方法，包括：将衬底(302)上的表面层(304)整形成沿长轴延伸的细长脊(902)，所述脊(902)沿所述长轴是非直线的，并包括具有倾斜侧壁(904)和顶部(906)的横截面；在脊(902)上设置厚度处于1和100纳米之间的、由两种或更多种材料构成的交替层(1302、1304)；和从所述脊(902)的所述顶部(906)除去所述交替层(1302、1304)，以暴露出所述交替层(1302、1304)的边缘(1504、1506)。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||