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发明名称 VERTICALLY STACKED FIELD PROGRAMMABLE NONVOLATILE MEMORY AND METHOD OF FABRICATION
摘要
申请公布号 EP1141963(A4) 申请公布日期 2007.05.09
申请号 EP19990921564 申请日期 1999.04.29
申请人 MATRIX SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 JOHNSON, MARK, G.;LEE, THOMAS, H.;SUBRAMANIAN, VIVEK;FARMWALD, P., MICHAEL;CLEEVES, JAMES, M.
分类号 H01L27/10;G11C11/56;G11C17/16;H01L27/102;(IPC1-7):G11C13/00;G11C11/22;G11C17/00 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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