发明名称 发光二极管
摘要 一种发光二极管,包括基板、半导体叠层、第一电极以及第二电极。其中,半导体叠层设置于基板上,且半导体叠层包括N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层以及发光层。N型掺杂半导体层具有铟掺质,而发光层设置于N型掺杂半导体层与P型掺杂半导体层之间。此外,第一电极设置于N型掺杂半导体层上,而第二电极设置于P型掺杂半导体层上。上述发光二极管中的N型掺杂半导体层较不易有龟裂、断裂或点缺陷等问题发生,因此上述发光二极管具有较低的电功率消耗、较高的制造合格率以及较佳的可靠性。
申请公布号 CN1960011A 申请公布日期 2007.05.09
申请号 CN200510117154.X 申请日期 2005.11.01
申请人 璨圆光电股份有限公司 发明人 武良文;简奉任
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 代理人 王昕
主权项 1.一种发光二极管,其特征是包括:基板;半导体叠层,设置于该基板上,该半导体叠层包括:N型掺杂半导体层,具有铟掺质;P型掺杂半导体层;发光层,设置于该N型掺杂半导体层与该P型掺杂半导体层之间;第一电极,设置于该N型掺杂半导体层上;以及第二电极,设置于该P型掺杂半导体层上。
地址 台湾省桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号