发明名称 | 发光二极管 | ||
摘要 | 一种发光二极管,包括基板、半导体叠层、第一电极以及第二电极。其中,半导体叠层设置于基板上,且半导体叠层包括N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层以及发光层。N型掺杂半导体层具有铟掺质,而发光层设置于N型掺杂半导体层与P型掺杂半导体层之间。此外,第一电极设置于N型掺杂半导体层上,而第二电极设置于P型掺杂半导体层上。上述发光二极管中的N型掺杂半导体层较不易有龟裂、断裂或点缺陷等问题发生,因此上述发光二极管具有较低的电功率消耗、较高的制造合格率以及较佳的可靠性。 | ||
申请公布号 | CN1960011A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
申请号 | CN200510117154.X | 申请日期 | 2005.11.01 |
申请人 | 璨圆光电股份有限公司 | 发明人 | 武良文;简奉任 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王昕 |
主权项 | 1.一种发光二极管,其特征是包括:基板;半导体叠层,设置于该基板上,该半导体叠层包括:N型掺杂半导体层,具有铟掺质;P型掺杂半导体层;发光层,设置于该N型掺杂半导体层与该P型掺杂半导体层之间;第一电极,设置于该N型掺杂半导体层上;以及第二电极,设置于该P型掺杂半导体层上。 | ||
地址 | 台湾省桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号 |