| 发明名称 | 电镀设备及用于半导体器件的制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电镀设备以及用于制造半导体器件的工艺，由此能够防止阳极钝化并且能够防止电镀膜的电流效率与淀积速率的减小。电镀设备(1)具有：容纳电镀液的电镀槽(11)；电镀槽(11)内的阳极(12)与阴极(13)；以及在第一状态与第二状态之间切换的开关控制单元(16)，其中第一状态是指在与电镀液接触的电镀物体(2)与阳极(12)之间施加电流，第二状态是指中断电镀物体(2)与阳极(12)之间的电流，而在阳极(12)与阴极(13)之间施加电流。阳极(12)是含有能够被钝化的金属的可溶解电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1958868A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610142114.5 | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 橘裕昭 |
| 分类号 | C25D7/12(2006.01);C25D17/00(2006.01);H01L21/288(2006.01) | 主分类号 | C25D7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种电镀设备，包括：容纳电镀液的电镀槽；在电镀槽内的阳极与阴极；以及在第一状态与第二状态之间切换的开关控制单元，其中第一状态是指在与电镀液接触的电镀物体与阳极之间施加电流，第二状态是指中断电镀物体与阳极之间的电流，而在阳极与阴极之间施加电流。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||