发明名称 微机电结构及其制造方法
摘要 一种微机电结构及其制造方法,适用于光干涉式显示单元结构之上。此一光干涉式显示单元结构包括第一电极、第二电极及支撑物,其中,第二电极包括一包覆材质层的导体层,并与该第一电极约成平行排列,且支撑物位于第一电极与第二电极间并形成一腔室。在光干涉式显示单元制造过程中,当以一结构释放蚀刻制程以移除位于第一电极与第二电极间的一牺牲层以形成腔室时,材质层可保护导体层不受蚀刻剂的侵蚀。材质层并可保护导体层不受空气中氧气及水气的侵蚀。
申请公布号 CN1314986C 申请公布日期 2007.05.09
申请号 CN200310102876.9 申请日期 2003.10.22
申请人 高通MEMS科技公司 发明人 林文坚
分类号 G02B26/00(2006.01);G02F1/01(2006.01);G02F1/03(2006.01);G02F1/07(2006.01);G02F1/31(2006.01) 主分类号 G02B26/00(2006.01)
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 王允方;刘国伟
主权项 1.一种微机电结构,适用于光干涉式显示单元之上,该结构至少包含:一第一电极;一第二电极,该第二电极包括:一第一材质层;以及一导体层,位于该第一材质层之上,并与该第一电极成平行排列;以及一支撑物,位于该第一电极与该第一材质层间,以在其间形成一腔室;其中,当以一结构释放蚀刻制程以移除位于该第一电极与该第一材质层间的一牺牲层以形成该腔室时,该第一材质层可保护该第二电极免于蚀刻剂的侵蚀。
地址 美国加利福尼亚州