| 发明名称 | 集成电子传感器 | ||
| 摘要 | 一种集成传感器及其制造所述器件的方法，该器件包括在半导体衬底中的MOS电路，具有互连导体和绝缘电介质的互连级，所述级在衬底上并互连MOS电路，互连级包含具有嵌入互连电介质中的电极的传感器，以及MOS电路包括用于处理来自传感器电极的信号的处理器。 | ||
| 申请公布号 | CN1961209A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200580017844.6 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 蒂莫西·卡明斯 | 发明人 | 蒂莫西·卡明斯 |
| 分类号 | G01N27/22(2006.01);G01N27/12(2006.01) | 主分类号 | G01N27/22(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种集成传感器器件，包括：在半导体衬底中的MOS电路，具有互连导体和绝缘电介质的互连级，所述级在该衬底上并对所述MOS电路进行互连，所述互连级包含具有嵌入该互连电介质中的电极的传感器，并且所述MOS电路包括用于处理来自该传感器电极的信号的处理器。 | ||
| 地址 | 爱尔兰克莱尔郡 | ||