发明名称 |
一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:玻璃基板、栅线、栅电极、第一栅绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、数据线、源电极、漏电极、像素电极及钝化层,其中栅电极和栅线上依次为第一栅绝缘层、有源层和掺杂层;栅线上有一截断槽,其截断栅线上的掺杂层和有源层;第二绝缘层覆盖在截断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上;像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方,且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接;源电极和数据线下方保留有透明像素电极层;钝化层覆盖在像素电极之外的部分。本发明同时公开了该像素结构的制造方法。本发明利用三次光刻掩模版形成薄膜晶体管的方法,可以节约阵列工艺的成本和占机时间,提高产能。 |
申请公布号 |
CN1959509A |
申请公布日期 |
2007.05.09 |
申请号 |
CN200610145112.1 |
申请日期 |
2006.11.10 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
邱海军;王章涛;闵泰烨 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01);G02F1/133(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:玻璃基板、栅线、栅电极、第一栅绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、数据线、源电极、漏电极、像素电极及钝化层,其特征在于:栅电极和栅线上依次为第一栅绝缘层、有源层和掺杂层;栅线上有一截断槽,其截断栅线上的掺杂层和有源层;第二绝缘层覆盖在截断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上;像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方,且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接;源电极和数据线下方保留有像素电极层;钝化层覆盖在像素电极之外的部分。 |
地址 |
100016北京市朝阳区酒仙桥路10号 |