| 发明名称 | 半导体器件以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具备将密封环的结构最优化，从而确保作为相对于来自于切割部的切断面的水分的侵入和裂纹的伸展的屏障的功能的密封环的半导体器件以及其制造方法。在半导体衬底(1)上的电路形成区域和切割区域之间设置有密封环(100)。密封环(100)具有层叠剖面形状呈T字型的密封层的部分和层叠剖面形状呈矩形的密封层的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1956173A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610136541.2 | 申请日期 | 2006.10.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 森本昇;藤泽雅彦;儿玉大介 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/71(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具备设在半导体衬底上的半导体集成电路、设在其上方的多层布线层和以包围所述半导体集成电路以及所述多层布线层的周围的方式设置的密封环，其中：所述密封环由分别设置在构成所述多层布线层的多个层间绝缘膜中的导电性的密封层的层叠体构成；所述密封层的层叠体具有将多个其剖面形状为T字型的第1密封层连续地层叠的部分；和将多个其剖面形状为矩形的第2密封层连续地层叠的部分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||