| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其制造方法，包括位于衬底的介质表面上的第一结晶取向的第一表面半导体层。在介质表面上与第一表面半导体层横向分开的是一叠层。该叠层包括位于较接近介质表面的掩埋半导体层和位于掩埋半导体层上并且不与其接触的不同于第一结晶取向的第二结晶取向的第二表面半导体层。该半导体结构提供不同结晶取向的半导体表面区域对。具体实施例可以利用顺序层叠，构图，选择性剥离和选择性外延沉积方法制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1956199A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610126513.2 | 申请日期 | 2006.08.25 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：衬底，包括介质表面；第一取向的第一表面半导体层，位于所述介质表面上；以及叠层，与所述介质表面上的所述第一表面半导体层横向分开，所述叠层包括：掩埋半导体层，位于较接近所述介质表面；以及不同于所述第一取向的第二取向的第二表面半导体层，位于所述掩埋半导体层上并且不与其接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||