| 主权项 |
1.一种形成焊接凸块的方法,该方法包含有: 提供一基底,该基底之一表面上包含有复数个焊垫 及一保护层(passivation layer),且该保护层系暴露该 等焊垫; 形成一凸块下金属层(under bump metallurgy layer)于各 该焊垫及部分该保护层上,该凸块下金属层包含有 一铜金属层位于该凸块下金属层之一表面上; 形成一过渡金属牺牲层于该铜金属层上; 形成一凸块光阻层于该基底之该表面上,且该凸块 光阻层具有复数个开口对应该等焊垫; 移除该过渡金属牺牲层;以及 形成复数个焊接凸块于该凸块光阻层之该等开口 中,该等焊接凸块系结合该凸块下金属层。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该移除该过渡 金属牺牲层的步骤,包含: 进行一反应式离子蚀刻(reactive ion etching)制程,该 反应式离子蚀刻制程利用至少一卤素元素与该过 渡金属牺牲层反应形成一具高挥发性的化合物以 移除该过渡金属牺牲层。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该卤素元素系 选自氟(F)或氯(Cl)。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该具高挥发性 的化合物系为氟化物或氯化物。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该凸块下金属 层另包含有一铝(Al)金属层以及一镍钒(NiV)合金层 依序形成于该等焊垫及部分该保护层上。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该凸块下金属 层另包含有一钛(Ti)金属层以及一镍钒(NiV)合金层 依序形成于该等焊垫及部分该保护层上。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该过渡金属牺 牲层系选自钛(Ti)、钨(W)或钛钨合金。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该基底系为一 晶圆。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该凸块光 阻层的方法包含有: 形成一光阻层于该基底之该表面上;以及 进行一曝光与显影制程以形成该凸块光阻层。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该光阻层系 选自液态光阻或乾膜光阻。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中该显影制程 系为一湿式化学处理制程以移除部分该光阻层且 形成该等开口。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该反应式离 子蚀刻制程同时去除该湿式化学处理制程后残留 于该等开口中之光阻层。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中该等焊接凸 块系为锡膏所构成,并利用一印刷制程形成于该等 开口中。 14.如申请专利范围第1项之方法,其中于形成该等 焊接凸块于该凸块光阻层之该等开口中后,另包含 : 移除该凸块光阻层;以及 回焊(reflow)该等焊接凸块。 15.一种形成焊接凸块的方法,该方法包含有: 提供一基底,该基底之一表面上包含有复数个焊垫 及一保护层,且该保护层系暴露该等焊垫; 依序形成一金属层及一过渡金属牺牲层覆盖于该 等焊垫及该保护层上; 形成一图案化光阻层相对覆盖位于该等焊垫上方 之该过渡金属牺牲层; 利用该图案化光阻层作遮罩,进行一蚀刻制程移除 部分该金属层及该过渡金属牺牲层,以于各该焊垫 及部分该保护层上形成一凸块下金属层;以及 移除该图案化光阻层。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该金属层系 由一黏着层(adhesion layer)、一阻障层(barrier layer)及 一润湿层(wetting layer)所构成。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该黏着层系 由铝或钛所构成。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该阻障层系 由镍钒合金所构成。 19.如申请专利范围第16项之方法,其中该润湿层系 由铜所构成。 20.如申请专利范围第15项之方法,其中该过渡金属 牺牲层系选自钛、钨或钛钨合金。 21.如申请专利范围第15项之方法,其中该基底系为 一晶圆。 22.如申请专利范围第15项之方法,其中该图案化光 阻层系选自液态光阻或乾膜光阻。 23.如申请专利范围第15项之方法,其中系利用一湿 式化学处理制程移除该图案化光阻层。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中该过渡金属 牺牲层于该湿式化学处理制程时,用以避免造成该 润湿层的氧化及腐蚀。 25.如申请专利范围第15项之方法,其中于移除该图 案化光阻层后,另包含有: 形成一凸块光阻层于该基底之该表面上,且该凸块 光阻层具有复数个开口对应该等焊垫; 移除该过渡金属牺牲层;以及 形成复数个焊接凸块于该凸块光阻层之该等开口 中,该等焊接凸块系结合该凸块下金属层。 图式简单说明: 第1图至第7图为习知形成焊接凸块的方法示意图 。 第8图至第14图为根据本发明最佳实施例之形成焊 接凸块的方法示意图。 |
