| 发明名称 | 半导体结构及制造鳍式场效应晶体管器件的方法 | ||
| 摘要 | FinFET及其制造方法包括在半导体鳍的沟道区上形成的栅电极。所述半导体鳍具有一晶体取向和轴向特定压阻系数。在所述方法中，形成具有固有应力的栅电极，通过确定所述固有应力影响并且优选优化沟道区内的载流子迁移率。为了达到这一目的，所述固有应力优选在所述栅电极和所述半导体鳍沟道区内提供补偿所述轴向特定压阻系数的诱发轴向应力。 | ||
| 申请公布号 | CN1960003A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200610142555.5 | 申请日期 | 2006.10.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杜雷赛蒂·奇达姆巴拉奥 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：包括至少一个半导体鳍的衬底，所述半导体鳍具有一晶体学取向和轴向特定压阻系数；以及覆盖所述半导体鳍内的沟道区的栅电极，其中，所述栅电极和所述沟道区具有与所述轴向特定压阻系数相关的轴向特定应力。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||