| 主权项 |
1.一种制造半导体装置的方法,其至少包含: 在一基板上形成一绝缘层; 选择性地蚀刻该绝缘层以形成第一开口; 扩大该第一开口的区域; 在该已扩大之第一开口的侧壁上形成抗曲间隔物; 及 蚀刻残留在该已扩大之第一开口下的绝缘层部份 并形成第二开口。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,形成该绝缘 层系包含: 在该基板上形成一第一绝缘层; 在该第一绝缘层上形成一蚀刻阻止层;及 在该蚀刻阻止层上形成一用于一电容器的第二绝 缘层,而该第二绝缘层包括一第三绝缘层和一第四 绝缘层。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中,形成该第一 开口系包含: 在该第四绝缘层上形成硬式光罩;以及 使用该硬式光罩作为一蚀刻遮罩而选择性地蚀刻 该第四绝缘层,因此在该第一开口的底部保留具有 一预定厚度之该第四绝缘层的一部份。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中,形成该第一 绝缘层系包含形成具有一多层结构的该第一绝缘 层。 5.如申请专利范围第3项之方法,其中,形成该第三 绝缘层系包含形成一矽磷玻璃(PSG)层,而且形成第 四绝缘层系包含形成一矽酸乙酯(TEOS)层。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中,形成该第一 开口系包含把一CxFy/O2的气体混合物注入一磁场强 化反应性离子蚀刻(MERIE)电浆源。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中,该CxFy气体和 该O2气体的的流动量比率范围在约40:1到约100:1之 间。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中,该CxFy气体系 从由CF4,C4F8,C4F6和C5F8所组成的群组中所选出。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中,扩大该第一 开口的区域系包含运用一使用湿式化学物的等方 性蚀刻制程。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中,该湿式化学 物系氧化物蚀刻缓冲液(BOE)和氟化氢(HF)中之一。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中,扩大该第一 开口的区域系包含扩大该区域直到相邻的第一开 口之间的一宽度为至少10nm。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中,形成该抗曲 间隔物系包含: 在该已扩大的第一开口和该硬式光罩上形成一抗 曲层;以及 选择性地蚀刻位在该硬式光罩与该已扩大的第一 开口之底部部份上的抗曲层部份,藉以在该已扩大 的第一开口之侧壁上形成该抗曲间隔物。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中,形成该抗曲 层系包含形成一包含用以形成下部电极之相同材 料的层,所以该抗曲层可防止弯曲的发生并具有该 下部电极的功能。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中,该抗曲层系 包含由氮化钛(TiN),钨(W),钌(Ru)以及铱(Ir)所组成之 群组中所选出的一个。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中,该抗曲层的 选择性蚀刻系包含使用一高密度电浆,而该高密度 电浆系藉由以一预定之比率,把一Cl2/Ar的气体混合 物注入到一变压耦合式电浆(TCP)/感应耦合式电浆( ICP)电浆源所获得。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中,该Cl2气体对 该Ar气体的该预定之混合比率范围在约1:10到约1:20 的范围之间。 17.如申请专利范围第12项之方法,其中,该抗曲层系 包括一氮系材料。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中,蚀刻该抗曲 层包含使用一高密度电浆,而该高密度电浆系藉由 把一CxFy/CHxFy/O2气体的气体混合物注入一MERIE电浆 源所获得。 19.如申请专利范围第12项之方法,其中,形成该抗曲 层系包含形成该抗曲层至一厚度在约100到约200 的范围内。 20.如申请专利范围第3项之方法,其中,该第二开口 的形成系包含: 使用该抗曲间隔物和该硬式光罩作为一蚀刻遮罩 来蚀刻该残留的第二绝缘层以形成第三开口;以及 蚀刻位于该第三开口下方的该蚀刻阻止层以形成 露出该基板之预定部份的第四开口。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中,形成该第二 开口系包含使用一CxFy/O2气体的气体混合物种和一 MERIE电浆源。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中,该CxFy气体 系从CF4,C4F8,C5F8,CHF3和CH2F2所组成的群组中所选出 。 23.一种制造半导体装置的方法,其包含: 在一基板上形成一绝缘层; 选择性地蚀刻该绝缘层以形成第一开口; 扩大该第一开口的区域; 在该已扩大之第一开口的侧壁上形成抗曲间隔物; 蚀刻残留在该已扩大之第一开口下的绝缘层部份 并形成第二开口; 在开口区域之底部部份及侧壁形成下部电极,而每 个开口区域包含该已扩大之第一开口及该第二开 口;以及 接着在该下部电极上形成一介电层及一上部电极 。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中,形成该绝缘 层系包含: 在该基板上形成一第一绝缘层; 在该第一绝缘层上形成一蚀刻阻止层;以及 在该蚀刻阻止层上形成一用于一电容器的第二绝 缘层,而该第二绝缘层更包括一第三绝缘层和一第 四绝缘层。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中,形成该第一 开口系包含: 在该第四绝缘层上形成硬式光罩;以及 使用该硬式光罩作为一蚀刻遮罩而选择性地蚀刻 该第四绝缘层,因此在该第一开口的底部保留具有 一预定厚度之该第四绝缘层的一部份。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中,形成该第一 绝缘层系包含形成一多层结构。 27.如申请专利范围第25项之方法,其中,该第三绝缘 层系包括一矽磷玻璃(PSG)层,而且第四绝缘层系包 括一矽酸乙酯(TEOS)层。 28.如申请专利范围第23项之方法,其中,形成该第一 开口系包含把一CxFy/O2的气体混合物注入一磁场强 化反应性离子蚀刻(MERIE)电浆源。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中,该CxFy气体 和该O2气体的的流动量比率范围在约40:1到约100:1 之间。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中,该CxFy气体 系从由CF4,C4F8,C4F6和C5F8所组成的群组中所选出。 31.如申请专利范围第23项之方法,其中,扩大该第一 开口的区域系包含运用一使用湿式化学物的等方 性蚀刻制程。 32.如申请专利范围第31项之方法,其中,该湿式化学 物系氧化物蚀刻缓冲液(BOE)和氟化氢(HF)中之一。 33.如申请专利范围第31项之方法,其中,扩大该第一 开口的区域系包含扩大该区域直到相邻的第一开 口之间的一宽度为至少10nm。 34.如申请专利范围第24项之方法,其中,形成该抗曲 间隔物系包含: 在该已扩大的第一开口和该硬式光罩上形成一抗 曲层;以及 选择性地蚀刻位在该硬式光罩与该已扩大的第一 开口之底部部份上的抗曲层部份,藉以在该已扩大 的第一开口之侧壁上形成该抗曲间隔物。 35.如申请专利范围第34项之方法,其中,形成该抗曲 层系包含形成一包含用以形成下部电极之相同材 料的层,所以该抗曲层可防止弯曲的发生并具有该 下部电极的功能。 36.如申请专利范围第35项之方法,其中,形成该抗曲 层系包含由一材料所组成的一层,而该材料系由氮 化钛(TiN),钨(W),钌(Ru)以及铱(Ir)所组成之群组中所 选出的一个。 37.如申请专利范围第36项之方法,其中,该抗曲层的 选择性蚀刻系包含使用一高密度电浆,而该高密度 电浆系藉由以一预定之比率,把一Cl2/Ar的气体混合 物注入到一变压耦合式电浆(TCP)/感应耦合式电浆( ICP)电浆源所获得。 38.如申请专利范围第37项之方法,其中,该Cl2气体对 该Ar气体的该预定之混合比率范围在约1:10到约1:20 的范围之间。 39.如申请专利范围第34项之方法,其中,该抗曲层系 包括一氮系材料。 40.如申请专利范围第39项之方法,其中,该抗曲层的 选择性蚀刻系包含使用一高密度电浆,而该高密度 电浆系藉由把一CxFy/CHxFy/O2气体的气体混合物注入 一MERIE电浆源所获得。 41.如申请专利范围第34项之方法,其中,形成该抗曲 层系包含形成一个层至一厚度在约100到约200 的范围内。 42.如申请专利范围第25项之方法,其中,形成该第二 开口系包含: 使用该抗曲间隔物和该硬式光罩作为一蚀刻遮罩 来蚀刻该残留的第二绝缘层以形成第三开口;以及 蚀刻位于该第三开口下方的该蚀刻阻止层以形成 露出该基板之预定部份的第四开口。 43.如申请专利范围第42项之方法,其中,形成该第二 开口系藉由在一MERIE电浆源使用一CxFy/O2气体的气 体混合物种而执行。 44.如申请专利范围第43项之方法,其中,该CxFy气体 系从由CF4,C4F8,C5F8,CHF3和CH2F2所组成的群组中所选 出。 图式简单说明: 第1A图及第1B图系表示制造半导体装置之电容的传 统方法之截面图。 第2A图系电容器之间产生桥接的表示图。 第2B图系接触孔之不适当开口的表示图。 第3A图及第3F图系表示依据本发明之特定实施例的 半导体装置之电容的制造方法之截面图。 |
