测定半导体晶片之光学性质的方法与系统

摘要

本发明揭示一种方法与系统以供测定一基板，像是一半导体晶圆，至少一光学特征。一旦该光学特征被测定，可控制制程腔至少一参数以改进制程。例如，在一具体实施例中，可先测定室温或接近室温时该基板一表面的反射比。由此讯息，可精确估计晶圆在高温制程期间的反射率和(或)发射率。该发射率可用来校正晶圆制程期间所用一高温计所测出的温度。除了可进行更精确的温度测量，该基板的光学特征也可用来更最佳化加热循环。