| 摘要 |
本发明揭示一种用以分析一在一基板(10)之一第一表面上包括复数个半导体设备(20)之积体电路(IC)的方法。该方法包括形成在与基板(10)之该第一表面相对之另一表面的一第一区域中包括复数个同轴绕射区(110)之绕射透镜(100)的步骤，及经由该绕射透镜(100)光学进入该复数个半导体设备(20)之子集(30)的另一步骤。由于绕射透镜(100)可在次微米尺寸得以实施的事实，故可比形成通常为几微米深之折射透镜便宜地形成透镜(100)。此外，透镜(100)可易于自基板(10)抛光掉，其有助于基板(10)上透镜(100)之重复再定位，从而提高光学侦测积体电路内故障之可能性。 |
