以相对于矽之高选择比进行之氧化矽及氮化矽的蚀刻方法与系统

摘要

一种基板中之特征部的蚀刻方法及系统，藉此以相对于矽之高选择比来蚀刻氧化矽或氮化矽或两者。在一实施例中，用以达到高选择比之处理化学品包含三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)、含氧气体及选择性惰性气体，例如氩气。