高深宽比开口及其制作方法

摘要

一种制作高深宽比接触洞的方法，包含有提供半导体基材，其具有导电区域、接触洞蚀刻停止层，及层间介电层；于该层间介电层上形成一光阻图案，包含有一开口，其位于该导电区域之正上方；利用该光阻图案作为蚀刻硬遮罩，并利用该接触洞蚀刻停止层为乾蚀刻停止层，经由该开口非等向性乾蚀刻该层间介电层，形成接触洞上半部部位；去除该光阻图案；以及经由该接触洞上半部部位等向性乾蚀刻该接触洞蚀刻停止层，并形成加宽的接触洞底部，暴露出较大面积之该导电区域。