发明名称 具清除动作之储存元件及其方法
摘要 本发明揭示一种储存装置(18)与一种关于该储存元件(18)的方法,其中该储存元件具有一第一资料储存节点(70)与一第二资料储存节点(60),且其中该第一资料储存节点系经由一第一通道电晶体(50)而耦合至一位元线,以及其中该第二资料储存节点系经由一第二通道电晶体(40)而耦合至一互补位元线。该方法包括藉由对一耦合至该第一资料储存节点(70)之第一清除电晶体(90)与对一耦合至该第二资料储存节点(60)之第二清除电晶体(80)提供一清除信号,而于该第一资料储存节点(70)与该第二资料储存节点(60)上执行一清除动作。
申请公布号 TW200717778 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW095130198 申请日期 2006.08.17
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 菈文卓拉 拉玛拉朱;普拉贤U 肯喀尔
分类号 H01L27/105(2006.01) 主分类号 H01L27/105(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国