非挥发性记忆胞与其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆胞的制造方法，包括于基底上形成堆叠闸极结构，此堆叠闸极结构包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层及导体层。然后，于此堆叠闸极结构侧壁形成一保护层。之后，进行蚀刻制程以移除用以形成堆叠闸极结构的顶盖层，在此蚀刻制程中，顶盖层与保护层的蚀刻率不同。由于在移除顶盖层之前，于堆叠闸极结构的侧壁上设置有保护层，因此用来移除顶盖层的蚀刻制程不会损伤到堆叠闸极结构中与顶盖层相似的材料。