发明名称 控制半导体记忆体装置活化周期之装置及方法
摘要 本发明揭示一种用于控制一半导体记忆体装置活化周期之电路,其包含:一活化控制器,其根据是否执行恢复操作来产生用于决定两或多独立列活化周期之活化控制信号;以及一活化信号产生器,其产生用于每一列的活化信号,如此对应至活化控制信号。根据此结构,可在恢复模式内将耗电量降至最低、轻易排列信号线,因此有效使用额外空间。
申请公布号 TW200717538 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW095137359 申请日期 2006.10.11
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 宋镐旭
分类号 G11C7/12(2006.01) 主分类号 G11C7/12(2006.01)
代理机构 代理人 罗行;赖安国
主权项
地址 韩国