使用高压釜于超临界氨中成长第三族氮化物晶体之方法

摘要

一种成长高品质、第三族氮化物、大块单晶体之方法。使用具有至少10微米或更大粒度之第三族氮化物多晶体或第三族金属的源材料或营养物及第三族氮化物单晶体的晶种，于高压釜中之超临界氨中成长该第三族氮化物大块晶体。该等第三族氮化物多晶体可在还原气体中在超过600℃下退火之后，自先前氨热法再循环。该高压釜可包括一充满氨之内室，其中加热该高压釜之后，当氨达到超临界状态时氨自内室释放至该高压釜中，使得超临界氨之对流移动源材料且将所移动之源材料沈积于晶种上，但阻止源材料之未溶解粒子移动并沈积于该等晶种上。