多层式陶瓷低通滤波器

摘要

一种多层式低通滤波器，其由九个介电基板堆叠而成。该堆叠之外表面系为接地面，由上至下，最上面的四层形成一第一「金属层-绝缘层-金属层」电容，一四埠螺旋状之互耦线圈结构位于该堆叠的中间，而一第二「金属层-绝缘层-金属层」电容则形成于最下面的四层。该互耦线圈结构之第一埠系连接于该第一电容，该互耦线圈结构之第四埠系连接于该第二电容。该互耦线圈结构之第二埠以及第三埠位于该堆叠之两端，系作为该多层式低通滤波器之输入端与输出端。

主权项

1.一种低通滤波器,其系形成于一多层基底上,该低 通滤波器包含: 一第一集总电容,包含: 一第一金属层; 一第二金属层;及 一绝缘体层,形成于该第一金属层及该第二金属层 之间; 至少一互耦线圈结构,其包含: 一第一线圈,以串联的方式电连接至该第一集总电 容; 一第二线圈;及 一第三线圈,该第二线圈系耦接在该第一线圈与该 第三线圈之间;以及 一第二集总电容,以串联的方式电连接至该第三线 圈,该第二集总电容包含: 一第一金属层; 一第二金属层;及 一绝缘体层,形成于该第一金属层及该第二金属层 之间。 2.如申请专利范围第1项所述之低通滤波器,其中该 第一集总电容之第一金属层与该第二集总电容之 第三金属层为接地层,以屏蔽该低通滤波器不受外 部干扰。 3.如申请专利范围第1项所述之低通滤波器,其中该 多层基底系一低温共烧陶瓷基底。 4.如申请专利范围第1项所述之低通滤波器,其中该 互耦线圈结构系为螺旋形状。 5.如申请专利范围第4项所述之低通滤波器,其中该 互耦线圈结构系被设置成一堆叠结构。 6.如申请专利范围第4项所述之低通滤波器,其中该 互耦线圈结构系为一四埠元件。 7.如申请专利范围第4项所述之低通滤波器,其中该 互耦线圈结构之旋转方向可为顺时针或逆时针方 向。 图式简单说明: 图一为习知低通滤波器之示意图。 图二为图一之低通滤波器的等效电路图。 图三为另一习知低通滤波器之示意图。 图四为图三之低通滤波器之等效电路图。 图五为一互耦线圈之广义等效电路图。 图六为本发明中低通滤波器之一等效电路图。 图七为用来构成低通滤波器之多层陶瓷基底之分 解图。 图八为本发明中低通滤波器之顶视图。 图九为本发明中低通滤波器之立体图。 图十为本发明中低通滤波器之侧视图。