| 主权项 |
1.一种热电半导体的制法,包含以下步骤: (A)准备一第一陶瓷层及一第二陶瓷层,并分别在该 第一、二陶瓷层的一内侧面形成有多数间隔布设 且耐高温的铜箔导体,该等铜箔导体上涂布有适量 的复合铜焊剂,且该第一、二陶瓷层上的铜箔导体 呈错开叠置方式排列; (B)准备一模具,该模具对应该等铜箔导体设有多数 模孔,将该模具叠置于第一陶瓷层的铜箔导体上, 使其等模孔与该等铜箔导体相对应; (C)准备加长尺寸的多数P型半导体及多数N型半导 体,并以交互排列方式逐一植入于该模具的模孔内 部,并利用高温熔融复合铜焊剂,使每一P、N型半导 体呈串联排列方式连接于该第一陶瓷层之铜箔导 体上;及 (D)再将该第二陶瓷层叠置于该模具的另一侧,使该 第二陶瓷层之铜箔导体对应该模具之模孔,并利用 高温熔融复合铜焊剂,使每一P、N型半导体呈串联 排列方式连接于该第二陶瓷层之铜箔导体上,即完 成该热电半导体。 2.依据申请专利范围第1项所述之热电半导体的制 法,该步骤(C)中,更配合一工件施以压力在该模具 与该等P、N型半导体上,并配合一加热单元施以高 温溶融复合铜焊剂,使该等P、N型半导体紧密固接 于该第一陶瓷层与该等铜箔导体上。 3.依据申请专利范围第1项所述之热电半导体的制 法,该步骤(D)中,更配合一工件施以压力在该模具 与该等P、N型半导体上,并配合一加热单元施以高 温溶融复合铜焊剂,使该等P、N型半导体紧密固接 于该第二陶瓷层与该等铜箔导体上。 4.依据申请专利范围第1项所述之热电半导体的制 法,其中该复合铜焊剂的溶点低于铜材的溶点。 5.依据申请专利范围第1项所述之热电半导体的制 法,其中该模具为陶瓷材质。 6.一种热电半导体的装置,包含: 一第一陶瓷层,具有多数间隔布设且耐高温的铜箔 导体; 一第二陶瓷层,具有多数间隔布设且耐高温的铜箔 导体,且第二陶瓷层的铜箔导体与该第一陶瓷层的 铜箔导体呈错开叠置方式排列; 适量复合铜焊剂,涂布在该第一、二陶瓷层的铜箔 导体上; 一模具,具有多数相互间隔且与该第一、二陶瓷层 之铜箔导体相对应的模孔;及 多数P型半导体与多数N型半导体,为加长尺寸,并呈 交互排列方式逐一植入于该模具的模孔内部,并利 用该复合铜焊剂使每一P、N型半导体呈串联方式 分别焊接于相对应之该第一、二陶瓷层之铜箔导 体上。 7.依据申请专利范围第6项所述之热电半导体的装 置,其中该复合铜焊剂的溶点低于铜材的溶点。 8.依据申请专利范围第6项所述之热电半导体的装 置,其中该模具为陶瓷材质。 9.一种热电半导体的制法,包含以下步骤: (A)准备一第一陶瓷层及一第二陶瓷层,并分别在该 第一、二陶瓷层的一内侧面形成有一耐高温且间 隔布设的铜箔导体,该等铜箔导体上涂布有适量的 复合铜焊剂,且该第一、二陶瓷层上的铜箔导体呈 错开叠置方式排列; (B)准备一模具,该模具对应该等铜箔导体设有多数 模孔,将该模具叠置于第一陶瓷层的铜箔导体上, 使其等模孔与该等铜箔导体相对应; (C)准备加长尺寸的多数P型半导体及多数N型半导 体,并以交互排列方式逐一植入于该模具的模孔内 部,并利用高温熔融复合铜焊剂,使每一P、N型半导 体呈串联排列方式连接于该第一陶瓷层之铜箔导 体上; (D)待复合铜焊剂冷却固化后,将该模具自该第一陶 瓷层取下,这时,每一P、N型半导体是呈串联排列方 式固定于该第一陶瓷层之铜箔导体上; (E)再将该第二陶瓷层叠置于该模具的另一侧,使第 二陶瓷层之铜箔导体对应于该模具之模孔,并利用 高温熔融复合铜焊剂,使每一P、N型半导体呈串联 排列方式连接于该第二陶瓷层之铜箔导体上,此时 该等P、N型半导体则呈串联连接排列在该第一、 二陶瓷层之间; (G)准备一垫圈,将该垫圈包束在围绕于外周的该等 P、N型半导体外侧,并紧密包覆外周侧之该等P、N 型半导体及该等铜箔导体,而该垫圈中央并界定出 一容室;及 (H)将该容室施以抽真空作业,使第一、二陶瓷层中 间的P、N型半导体处于真空状态中,即完成该热电 半导体。 10.依据申请专利范围第9项所述之热电半导体的制 法,该步骤(C)中,更配合一工件施以压力在该模具 与该等P、N型半导体上,并配合一加热单元施以高 温溶融复合铜焊剂,使该等P、N型半导体紧密固接 于该第一陶瓷层与该等铜箔导体上。 11.依据申请专利范围第9项所述之热电半导体的制 法,该步骤(D)中,更配合一工件施以压力在该模具 与该等P、N型半导体上,并配合一加热单元施以高 温溶融复合铜焊剂,使该等P、N型半导体紧密固接 于该第二陶瓷层与该等铜箔导体上。 12.依据申请专利范围第9项所述之热电半导体的制 法,其中该复合铜焊剂的溶点低于铜材的溶点。 13.依据申请专利范围第9项所述之热电半导体的制 法,其中该垫圈为矽胶材质制成。 14.一种热电半导体的装置,包含: 一第一陶瓷层,具有多数间隔布设且耐高温的铜箔 导体; 一第二陶瓷层,具有多数间隔布设且耐高温的铜箔 导体,且第二陶瓷层的铜箔导体与该第一陶瓷层的 铜箔导体呈错开叠置方式排列; 适量复合铜焊剂,涂布在该第一、二陶瓷层的铜箔 导体上; 多数P型半导体与多数N型半导体,为加长尺寸,并呈 交互排列方式排列在该第一、二陶瓷层之间,并利 用外部加温方式熔融复合铜焊剂,使每一P、N型半 导体呈串联方式分别焊接于相对应之该第一、二 陶瓷层之铜箔导体上;及 一垫圈,包束在围绕于外周的该等P、N型半导体外 侧,并紧密包覆外周侧之该等P、N型半导体的各极 部,该垫圈中央界定出一容室,并将该容室施以抽 真空作业,使第一、二陶瓷层中间的该等P、N型半 导体周围处于真空状态中。 15.依据申请专利范围第14项所述之热电半导体的 装置,其中该复合铜焊剂的溶点低于铜材的溶点。 16.依据申请专利范围第14项所述之热电半导体的 装置,其中该垫圈为矽胶材质制成。 图式简单说明: 图1是一步骤流程图,说明本发明半导体的制法与 装置的第一较佳实施例; 图2-1是第一较佳实施例的一平面图,说明配合一工 件及一加热单元,施以热熔作业,将多数P、N型半导 体及一模具结合于一第一陶瓷层上; 图2-2是第一较佳实施例的一平面图,说明配合该工 件及该加热单元,施以热熔作业,使一第二陶瓷层 与该等P、N型半导体、该模具及该第一陶瓷层结 合成一体; 图2-3是第一较佳实施例的一平面图,说明一致冷晶 片; 图3是一步骤流程图,说明本发明之第二较佳实施 例; 图4-1是第二较佳实施例的一平面图,说明配合该工 件及该加热单元,施以热熔作业,将该等P、N型半导 体结合于该第一陶瓷层上; 图4-2是第二较佳实施例一平面图,说明将该第二陶 瓷层与结合有该等P、N半导体的该第一陶层相互 对应叠置; 图4-3是第二较佳实施例一平面图,说明配合该工件 及该加热单元,施以热熔作业,使该第二陶瓷层与 该等P、N型半导体及该第一陶瓷层结合成一体,以 形成该致冷晶片;及 图5是一组合平面图,说明一电源供电给该致冷晶 片。 |
