| 主权项 |
1.一种减少粗制苯乙烯原料内污染物含量的系统, 该系统包含: a)一具有初含量苯基乙炔之粗制苯乙烯供料,一粗 制苯乙烯进料流,及一粗制苯乙烯出料流,其中该 粗制苯乙烯进料流系接受来自乙基苯去氢单元的 粗制苯乙烯,其中该粗制苯乙烯系将该去氢单元内 之乙基苯作去氢处理所制得; b)一氢源,其系用来将第一份氢注入该粗制苯乙烯 出料流中以制得物料流B; c)一用来接收物料流B的第一触媒床,其中该第一触 媒床具有第一触媒床出料流,其中该第一触媒床含 有之第一触媒包含0.01到少于0.2重量%的钯,且其中 该第一触媒床出料流的苯基乙炔含量系小于苯基 乙炔之初含量。 2.如申请专利范围第1项之系统,其进一步包含: d)一第二氢源,其系用来将第二份氢注入该第一触 媒床出料流中以制得物料流C;及 e)一用来接收物料流C的第二触媒床,其中该第二触 媒床包含第二触媒床出料流,其苯基乙炔含量系小 于该第一触媒床出料流中之含量。 3.如申请专利范围第2项之系统,其中该第一氢源可 为纯氢、乙基苯去氢单元的排气、或氢与一稀释 剂的混合物。 4.如申请专利范围第3项之系统,其中该第二氢源可 为纯氢、乙基苯去氢单元的排气、或氢与一稀释 剂的混合物。 5.如申请专利范围第4项之系统,其中该稀释剂为氮 。 6.如申请专利范围第4项之系统,其中该第二触媒床 含有之第二触媒具有0.01到少于0.2重量%的钯。 7.如申请专利范围第6项之系统,其中该第一及第二 触媒各含有0.03到0.05重量%的钯。 8.如申请专利范围第6项之系统,其中该第一及第二 触媒床系在单一反应器中。 9.如申请专利范围第6项之系统,其中该第一及第二 触媒床系各在个别的反应器中。 10.如申请专利范围第6项之系统,其中该第一及第 二触媒为分散在铝酸钙载体上之苯基乙炔还原触 媒,且为相同触媒。 11.如申请专利范围第6项之系统,其中该第二触媒 床出料流的苯基乙炔含量少于10 ppm。 12.如申请专利范围第11项之系统,其中该第一及第 二触媒系呈圆柱状小片的形式。 13.一种减少粗制苯乙烯原料内污染物含量的方法, 该方法包含如下步骤: a)将一份第一还原剂与第一份粗制苯乙烯混合在 一起制得物料流A,其中该粗制苯乙烯含有初含量 的苯基乙炔; b)将物料流A与含有0.01到少于0.2重量%的钯之第一 触媒的第一触媒床接触以制得物料流B,其中该物 料流B所含苯基乙炔的含量系小于该苯基乙炔的初 含量。 14.如申请专利范围第13项之方法,其进一步包含如 下步骤: c)将一份第二还原剂与物料流B混合在一起以制得 物料流C; d)将物料流C与含有0.01到少于0.2重量%的钯之第二 触媒的第二触媒床接触以制得物料流D,其中该物 料流D所含苯基乙炔的含量系小于物料流B中之含 量。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一及第 二触媒各含有0.03到0.05重量%的钯。 16.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一份粗 制苯乙烯为苯乙烯流,其中该粗制苯乙烯系将乙基 苯去氢单元内的乙基苯去氢处理所制得,且其中该 第一及第二还原剂系取自该去氢单元的排气。 17.如申请专利范围第15项之方法,其中该第一及第 二还原剂包含氢气。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该第一及第 二触媒床系在同一反应器单元中。 19.如申请专利范围第16项之方法,其中该第一及第 二触媒床系各在个别的反应器单元中。 20.如申请专利范围第15项之方法,其中该物料流D包 含60至97%低于粗制苯乙烯中苯基乙炔的初含量。 图式简单说明: 第1图为习知PAR系统的示意圆。 第2图为本发明PAR系统之一个具体例之示意图。 第3图为本发明PAR系统之另一个具体例之示意图。 第4图显示本发明系统及习知系统对苯基乙炔的去 除活性。 第5图显示本发明系统在水冲程(ecxursion)之前及之 后对苯基乙炔的去除活性。 |
