| 主权项 |
1.一种记忆装置,包括: 一第一金属电极层; 一毗邻该第一金属电极层的金属氮化物层; 一毗邻该金属氮化物层的聚合物铁电层; 一毗邻该聚合物铁电层的金属氧化物层;和 一毗邻该金属氧化物层的第二金属电极层; 其中该金属氮化物层和金属氧化物层包含过量电 洞以与从该第一和第二金属电极层射出的电子再 结合。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一金属电 极层和该第二金属电极层都是钽。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中该聚合物铁电 层为聚偏二氟乙烯。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中该聚合物铁电 层为聚偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该金属氮化物 层为氮化钽。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中该氮化钽用铪 掺杂以在该氮化钽层中造出过量的电洞。 7.如申请专利范围第6项之装置,其中该氮化钽具有 大约介于1020/cm3与1021/cm3之间的电洞密度。 8.如申请专利范围第5项之装置,其中该氮化钽系在 过量氮存在中沈积以在该氮化钽层中造出过量电 洞。 9.如申请专利范围第8项之装置,其中该氮化钽具有 大约介于1.8*1021/cm3与5.4*1021/cm3之间的电洞密度。 10.如申请专利范围第1项之装置,其中该金属氧化 物层为氧化钽。 11.如申请专利范围第10项之装置,其中该氧化钽层 用铪掺杂以在该氧化钽层中造出过量的电洞。 12.如申请专利范围第11项之装置,其中该氧化钽具 有大约介于1020/cm3与1021/cm3之间的电洞密度。 13.如申请专利范围第10项之装置,其中该氧化钽层 系在过量氧的存在中沈积以在氧化钽层中造出过 量的电洞。 14.如申请专利范围第13项之装置,其中该氧化钽具 有大约7*1021/cm3与2.1*1022/cm3之间的电洞密度。 15.一种制造记忆装置之方法,包括: 沈积一第一金属电极层; 沈积一毗邻该第一金属电极层的金属氮化物层; 沈积一毗邻该金属氮化物层的聚合物铁电层; 沈积一毗邻该聚合物铁电层的金属氧化物层;及 沈积一毗邻该金属氧化物层的第二金属电极层; 其中该金属氮化物层和金属氧化物层包含过量的 电洞以与从该第一与第二金属电极层射出的电子 再结合。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该第一金属 电极层与第二金属电极层都是钽。 17.如申请专利范围第15项之方法,其中该聚合物铁 电层为聚偏二氟乙烯。 18.如申请专利范围第15项之方法,其中该聚合物铁 电层为聚偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物。 19.如申请专利范围第15项之方法,其中该金属氮化 物层为氮化钽。 20.如申请专利范围第19项之方法,其进一步包括用 铪掺杂该氮化钽以在氮化钽层中造出过量电洞。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中该氮化钽具 有大约介于1020/cm3与1021/cm3之间的电洞密度。 22.如申请专利范围第19项之方法,其进一步包括在 过量氮的存在中沈积该氮化钽以在氮化钽层中造 出过量电洞。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该氮化钽具 有大约介于1.8*1021/cm3与5.4*1021/cm3之间的电洞密度 。 24.如申请专利范围第15项之方法,其中该金属氧化 物为氧化钽。 25.如申请专利范围第24项之方法,其进一步包括用 铪掺杂该氧化钽层以在该氧化钽层中造出过量电 洞。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中该氧化钽具 有大约介于1020/cm3与1021/cm3之间的电洞密度。 27.如申请专利范围第24项之方法,其进一步包括在 过量氧的存在中沈积该氧化钽层以在该氧化钽层 中造出过量电洞。 28.如申请专利范围第27项之方法,其中该氧化钽具 有大约介于7*1021/cm3与2.1*1022/cm3之间的电洞密度。 29.一种记忆装置,包括: 一金属氮化物层; 一毗邻该金属氮化物层的聚合物铁电层; 一毗邻该聚合物铁电层的金属氧化物层;和 其中该金属氮化物层与金属氧化物层包括多个电 子陷阱。 30.如申请专利范围第29项之装置,其中该聚合物铁 电层为聚偏二氟乙烯。 31.如申请专利范围第29项之装置,其中该聚合物铁 电层为聚偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物。 32.如申请专利范围第29项之装置,其中该金属氮化 物层为氮化钽。 33.如申请专利范围第32项之装置,其中该氮化钽用 铪掺杂以在氮化钽层中造出电子陷阱。 34.如申请专利范围第32项之装置,其中该氮化钽系 在过量氮存在中沈积以在氮化钽层中造出电子陷 阱。 35.如申请专利范围第29项之装置,其中该金属氧化 物层为氧化钽。 36.如申请专利范围第35项之装置,其中该氧化钽层 系用铪掺杂以在氧化钽层中造出电子陷阱。 37.如申请专利范围第35项之装置,其中该氧化钽层 系在过量氧的存在中沈积以在氧化钽层中造出电 子陷阱。 38.一种制造记忆装置之方法,包括: 沈积一金属氮化物层; 沈积一毗邻该金属氮化物层的聚合物铁电层; 沈积一毗邻该聚合物铁电层的金属氧化物层;和 其中该金属氮化物层和金属氧化物层包括多个电 子陷阱。 39.如申请专利范围第38项之方法,其中该聚合物铁 电层为聚偏二氟乙烯。 40.如申请专利范围第38项之方法,其中该聚合物铁 电层为聚偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物。 41.如申请专利范围第38项之方法,其中该金属氮化 物层为氮化钽。 42.如申请专利范围第41项之方法,其进一步包括用 铪掺杂该氮化钽以在该氮化钽层中造出电子陷阱 。 43.如申请专利范围第41项之方法,其进一步包括在 过量氮的存在中沈积该氮化钽以在氮化钽层中造 出电子陷阱。 44.如申请专利范围第38项之方法,其中该金属氧化 物层为氧化钽。 45.如申请专利范围第44项之方法,其进一步包括用 钽掺杂该氧化钽层以在氧化钽层中造出电子陷阱 。 46.如申请专利范围第44项之方法,其进一步包括在 过量氧的存在中沈积该氧化钽层以在氧化钽层中 造出电子陷阱。 图式简单说明: 图1:铁电性相聚偏二氟乙烯(PVDF)分子链之图解 说明。 图2:聚合物铁电性记忆体装置之图解说明。 图3:脱氢氟反应之图解说明。 图4:脱氢氟反应之图解说明。 图5:根据本发明一具体实例的聚合物铁电性记忆 体装置横截面之图解说明。 图6:根据本发明一具体实例的聚合物铁电性记忆 体装置横截面之图解说明,显示出射出的电子与电 子陷阱。 |
