| 主权项 |
1.一种半导体制造装置,包括载置半导体基板之平 台; 该平台系包括: 第1金属部,由金属所构成,且抵接于所载置的该半 导体基板;以及 导电性弹性体部,由导电性弹性体所构成,且抵接 于所载置的该半导体基板。 2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中, 该第1金属部系包括:在该平台中心所形成的圆形 状金属部,以及在该平台周围所形成的环状金属部 。 3.如申请专利范围第1或2项之半导体制造装置,其 中,该导电性弹性体部的表面积系占该平台表面积 的50%以上。 4.一种半导体制造装置,包括载置半导体基板之平 台; 该平台系包括: 第1金属部,由表面形成无数凹洞且未施行处理的 金属所构成,并抵接于所载置的该半导体基板;以 及 第2金属部,由表面形成无数凹洞且未施行处理的 金属所构成,并抵接于所载置的该半导体基板。 5.如申请专利范围第4项之半导体制造装置,其中, 该第1金属部系形成复数个供吸附用的孔,而在该 凹洞中则并未形成该孔。 6.如申请专利范围第4或5项之半导体制造装置,其 中,该第1金属部系包括:在该平台中心所形成的圆 形状金属部以及在该平台周围所形成的环状金属 部。 7.如申请专利范围第4项之半导体制造装置,其中, 该第2金属部的表面积系占该平台表面积的50%以上 。 8.如申请专利范围第5项之半导体制造装置,其中, 该第2金属部的表面积系占该平台表面积的50%以上 。 9.如申请专利范围第6项之半导体制造装置,其中, 该第2金属部的表面积系占该平台表面积的50%以上 。 10.如申请专利范围第4项之半导体制造装置,其中, 该凹洞系宽度1~10000m2且深度1~100m。 11.如申请专利范围第4项之半导体制造装置,其中, 该平台系更具有埋入于该凹洞中的导电性弹性体 。 图式简单说明: 第1图系本发明实施形态1的平台俯视图。 第2图系平台剖视图。 第3图系平台剖视图。 第4图系平台剖视图。 第5图系平台俯视图。 第6图系平台俯视图。 第7图系平台俯视图。 第8图系平台俯视图。 第9图系平台俯视图。 第10图系本发明实施形态2的平台俯视图。 第11图系平台截面的部分放大图。 第12图系平台截面的部分放大图。 第13图系平台截面的部分放大图。 第14图系平台俯视图。 第15图系平台俯视图。 第16图系平台俯视图。 第17图系平台俯视图。 第18图系平台俯视图。 第19图系平台截面的部分放大图。 第20图系平台截面的部分放大图。 第21图系平台截面的部分放大图。 第22图系平台截面的部分放大图。 第23图系平台截面的部分放大图。 |
