| 主权项 |
1.一种晶片,其包含: 一第一表面,位于该晶片之一侧; 一第二表面,位于该晶片之另一侧,且该第二表面 之边缘具有至少一沟槽; 复数个接垫,配置于该第一表面;以及 至少一缓冲垫,配置于该沟槽内。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片,进一步具有复 数个凸块,一对一配置于该些接垫上,用以电性连 接至一晶片承载器。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片,其中该些接垫 经由复数个接线电性连接至一晶片承载器。 4.如申请专利范围第1项所述之晶片,其中该缓冲垫 为苯并环丁烯(Benzo-Cyclobutene, BCB)或聚醯亚胺( Polyimide)所组成。 5.如申请专利范围第1项所述之晶片,其中该缓冲垫 不凸出于该第二表面。 6.如申请专利范围第1项所述之晶片,其中该第一表 面为该晶片之主动表面。 7.如申请专利范围第1项所述之晶片,其中该第二表 面为该晶片之背面。 8.如申请专利范围第1项所述之晶片,其中该缓冲垫 为环状,围绕该第二表面之边缘。 9.如申请专利范围第1项所述之晶片,其中该晶片具 有复数个缓冲垫,分别配置于该第二表面之角落。 10.一种晶片封装体,其包含: 一晶片承载器; 一晶片,承载于该晶片承载器上,其具有一第一表 面、一第二表面、复数个接垫配置于该第一表面 、以及至少一缓冲垫,其中位于该第二表面之边缘 具有至少一沟槽,且该缓冲垫配置于该沟槽内; 复数个导体,用以电性连接晶片之该些接垫及该晶 片承载器;以及 一胶体,包覆该导体、该晶片承载器之部份及该晶 片之部份,其中该第二表面及该缓冲垫外露于该胶 体。 11.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该些导体为复数个凸块,每一凸块配置于该些接垫 其中之一上,且电性连接至该晶片承载器。 12.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该些导体为复数个接线,电性连接该些接垫及该晶 片承载器。 13.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该第一表面位于该晶片之一侧,且该第二表面位于 该晶片之另一侧。 14.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该缓冲垫为苯并环丁烯(Benzo-Cyclobutene, BCB)所组成 或聚醯亚胺(Polyimide)所组成。 15.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该缓冲垫不凸出于该第二表面。 16.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该缓冲垫为环状,围绕该第二表面之边缘。 17.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该晶片具有复数个缓冲垫,配置于该第二表面之角 落。 18.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其进 一步具有一散热元件直接接触于该第二表面。 19.如申请专利范围第10项所述之晶片封装体,其中 该晶片承载器为一封装基板、一引脚架、一模组 电路板、或另一晶片。 20.一种具有缓冲垫之晶片之制造方法,其包含: 提供一晶圆,具有复数个晶片,其中该晶片包含一 第一表面、一第二表面及复数个接垫配置于该第 一表面; 刻槽于该些晶片之该些第二表面之边缘,形成沟槽 ; 涂布一弹性材料于该些第二表面边缘之沟槽;以及 切割该晶圆,使每一晶片分离。 21.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,进一步包含一表面平坦化步骤,使 该弹性物质不凸出于该第二表面。 22.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,其中该步骤「涂布一弹性材料于该 第二表面边缘之沟槽」,进一步包含:涂布一弹性 材料于该第二表面,经由曝光及显影方式去除该些 沟槽以外之弹性物质。 23.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,进一步包含一凸块植入步骤,将复 数个凸块配置于该些接垫上。 24.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,其中该步骤「刻槽于该晶片第二表 面之边缘,形成沟槽」进一步包含:涂布一光阻层 于该第二表面,曝光、显影与蚀刻该晶片第二表面 之边缘以形成沟槽,以及去除该光阻层。 25.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,其中该弹性材料为苯并环丁烯(Benzo -Cyclobutene, BCB)所组成或聚醯亚胺(Polyimide)所组成 。 26.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,进一步包含一步骤:配置一散热元 件于该晶片之第二表面上。 27.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,其中该步骤「刻槽于该晶片第二表 面之边缘,形成沟槽」为形成一沟槽,围绕该晶片 第二表面之边缘。 28.如申请专利范围第20项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,进一步包含一封装步骤,将该晶片 封装于一晶片承载器上,形成一晶片封装体,且该 些晶片之第二表面及缓冲垫外露于该封装结构。 29.如申请专利范围第28项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,其中该封装步骤为一覆晶接合封装 方法。 30.如申请专利范围第28项所述之具有缓冲垫之晶 片之制造方法,其中该封装步骤为一打线接合封装 方法。 图式简单说明: 第1图说明一先前技术之覆晶封装体结构。 第2图说明一先前技术之具有加强体之覆晶封装体 结构。 第3图说明依据本发明之第一实施例之覆晶封装体 结构。 第4图说明依据本发明之第二实施例之打线接合封 装体结构。 第5a~5e图说明依据本发明第一实施例之覆晶封装 体实施步骤。 |
