| 主权项 |
1.一种导线架,包含复数个引脚,其中该导线架系含 有铜(Cu)成份重量百分比系大于96.2%,且不含有锆(Zr )成份,该导线架系掺杂有微量金属,且该微量金属 包含镍(Ni)、矽(Si)及镁(Mg)。 2.依申请专利范围第1项之导线架,更包含一含锡金 属层形成于该些引脚之表面上。 3.一种半导体封装构造,包含: 一导线架,包含复数个引脚; 一晶片,固定于该导线架上,并电性连接于该导线 架之引脚; 一封胶体,封装该晶片及该导线架,并裸露出该引 脚之部分;以及 一含锡金属层,形成于该引脚上,其中该导线架系 含有铜(Cu)成份重量百分比系约大于96.2%,且不含有 锆(Zr)成份,该导线架系掺杂有微量金属,且该微量 金属包含镍(Ni)、矽(Si)及镁(Mg)。 4.依申请专利范围第3项之半导体封装构造,其中该 含锡金属层系藉由一电镀制程依序形成于该引脚 上。 5.依申请专利范围第3项之半导体封装构造,更包含 一晶片承座以承接该晶片。 6.依申请专利范围第3项之半导体封装构造,其中该 含锡金属层系形成于暴露于该封胶体外之该些引 脚表面。 图式简单说明: 第1图为先前技术之导线架之外引脚剖面示意图, 其显示一锡铜之介金属化合物。 第2图为先前技术之半导体封装构造之剖面示意图 ,其显示一单晶针状之锡须。 第3a及3b图为本发明之一实施例之导线架之剖面及 平面示意图。 第4图为本发明之一实施例之半导体封装构造之剖 面示意图。 |
