| 主权项 |
1.一种半导体装置,配备有一电路、一用以覆盖该 电路的安全层、一包含该安全层之一局部区域的 安全元件、以及一感测器,其特征为: 该安全层包括埋植的磁颗粒,以及 该感测器系一能够测量该安全层之磁特性的磁感 测器。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征为该 磁感测器为能够将该等磁特性转换成阻抗实际数 値的磁阻式感测器。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征为该 等埋植磁颗粒系非均质地分布于该电路上的安全 层(53)之中。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征为该 等磁颗粒为被埋植于微珠之中的超顺磁颗粒。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征为该 等磁颗粒包括硬磁材料。 6.如申请专利范围第2项之半导体装置,其特征为该 等具有一实质平行于该安全层之感应轴的磁阻式 感测器的形状为长条状,其长度系位于实质垂直该 感应轴的方向中。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其进一步配 备一记忆体用以储存该安全元件之初始的阻抗实 际数値,当作参考数値。 8.一种配备如申请专利范围第1至7项中任一项之半 导体装置之载体。 9.一种适用于如申请专利范围第8项之载体之读卡 器,其特征为具有用以产生一外部磁场的磁化构件 ,以便于实质垂直该安全层的磁颗粒中感应出一磁 化强度。 10.如申请专利范围第9项之读卡器,其特征为具有 一用以测量该外部磁场的参考値感测器,以便能够 校正该外部磁场。 11.如申请专利范围第9项之读卡器,其特征为该磁 化构件为一除高斯电路的一部份。 12.一种用以初始化如申请专利范围第1至7项中任 一项之半导体装置之方法,其包括下面的步骤: 决定该安全元件之初始的阻抗实际数値,以及 将该初始的实际数値储存于该半导体装置的记忆 体之中,或是储存于位于申请专利范围第9项之读 卡器内或与其相连接之中央资料库装置之中,当作 参考数値。 13.如申请专利范围第12项之方法,其特征为用以决 定实际数値的步骤如下: 于标准的外部磁场下测量出一关闭状态数値; 产生一外部磁场以便于实质垂直该安全层的磁颗 粒之中感应出一磁化强度; 于关闭该外部磁场之前测量出一开启状态数値; 决定出该开启状态数値与该关闭状态数値之间的 差异,当作该安全元件的阻抗实际数値。 14.如申请专利范围第13项之方法,其特征为: 至少一部份被埋植于该半导体装置之安全层内的 磁颗粒包括一硬磁材料;以及 于测量该关闭状态数値之前必须实施前置处理,以 便移除位于实质垂直该安全层方向中的磁颗粒之 中任何既有的磁化强度。 15.如申请专利范围第12项之方法,其特征为至少一 部份被埋植于该半导体装置之安全层内的磁颗粒 包括一软磁材料,而且用以决定实际数値的步骤如 下: 产生一外部磁场以便于实质垂直该安全层的磁颗 粒之中感应出一磁化强度; 于该等软磁颗粒松弛成其饱和磁化强度之前,测量 出一第一数値与一第二数値, 决定出该第一数値与该第二数値之间的差异,当作 该安全元件的阻抗实际数値。 16.一种用以检查如申请专利范围第1至7项中任一 项已经过申请专利范围第12项之方法进行初始化 之后的半导体装置的确实性之方法,其包括下面的 步骤: 决定该安全元件之阻抗实际数値, 从该记忆体中读取该参考数値, 比较该实际数値与该参考数値,以及 如果该实际数値与该参考数値之间的差异低于预 设临界数値的话,便证实该半导体装置的确实性。 17.如申请专利范围第16项之方法,其特征为用以决 定实际数値的步骤如下: 于标准的外部磁场下测量出一关闭状态数値; 产生一外部磁场以便于实质垂直该安全层的磁颗 粒之中感应出一磁化强度; 于关闭该外部磁场之前测量出一开启状态数値; 决定出该开启状态数値与该关闭状态数値之间的 差异,当作该安全元件的阻抗实际数値。 18.如申请专利范围第17项之方法,其特征为: 至少一部份被埋植于该半导体装置之安全层内的 磁颗粒包括一硬磁材料;以及 于测量该关闭状态数値之前必须实施前置处理,以 便移除位于实质垂直该安全层方向中的磁颗粒之 中任何既有的磁化强度。 19.如申请专利范围第18项之方法,其特征为该外部 磁场的强度低于至少一部份该等磁颗粒的饱和磁 场强度。 20.如申请专利范围第18项之方法,其特征为该外部 磁场系可交替的,而且该磁场的大小会降低至平均 偏压磁场,该磁场低于至少一部份该等磁颗粒的饱 和磁场强度。 21.如申请专利范围第16项之方法,其特征为至少一 部份被埋植于该半导体装置之安全层内的磁颗粒 包括一软磁材料,而且用以决定实际数値的步骤如 下: 产生一外部磁场以便于实质垂直该安全层的磁颗 粒之中感应出一磁化强度; 于该等软磁颗粒松弛成其饱和磁化强度之前,测量 出一第一数値与一第二数値, 决定出该第一数値与该第二数値之间的差异,当作 该安全元件的阻抗实际数値。 图式简单说明: 图1为该半导体装置的剖面图; 图2为该半导体装置中之安全元件的剖面图; 图3A为该安全元件的平面图; 图3B为对应于图3A之安全元件的电路图; 图4A-C为由超顺磁材料所制成之磁颗粒具体实施例 中的外加磁场、磁化强度、以及所测量到之电压 差的时间函数关系图; 图5A-C为由硬磁材料所制成之磁颗粒具体实施例中 的外加磁场、磁化强度、以及所测量到之电压差 的时间函数关系图,其中该测量系在饱和磁场下进 行; 图6A-C为由硬磁材料所制成之磁颗粒具体实施例中 的外加磁场、磁化强度、以及所测量到之电压差 的时间函数关系图,其中该测量系在低于饱和磁场 的磁场下进行;以及 图7为该半导体装置之概略图。 |
